对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验，观测SiGe HBT单粒子效应的敏感区域，测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况，并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明：国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感，波长为1064 nm的激光在能量约为1.5 nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应，引起电流瞬变。入射激光能量增强，电流脉冲增大，电荷收集量增加；外加电压增大，电流脉冲的波峰增大；SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关，电压主要影响瞬变电流的峰值，而电荷收集量主要依赖于入射激光能量。

对10万门基于静态随机存储器的现场可编程门阵列（FPGA）分别在锎-252（252Cf）源和HI-13串列加速器下进行了单粒子效应试验研究，测试了静态单粒子翻转截面及发生单粒子闩锁的线性能量转移阈值，并对试验结果进行了等效性分析比较。试验结果表明：252Cf源引起的FPGA单粒子翻转截面比重离子加速器引起的约低1个数量级；使用252Cf源未能观测到该器件的单粒子闩锁现象，而使用重离子加速器可以测出该FPGA发生单粒子闩锁的线性能量转移阈值；在现代集成电路的宇航辐射效应地面模拟单粒子效应试验中，252Cf源不是理想的测试单粒子闩锁的辐射源。