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同名作者【蔡成林】论文列表

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速调管放大器专题

低能二次电子对微波输能窗击穿现象的影响

张雪王滔倪鑫荣蔡成林

作者单位

摘要

湘潭大学自动化与电子信息学院，湖南湘潭 411105

在微波输能窗次级电子倍增效应的模拟研究中，往往忽视低能电子的作用。基于Monte Carlo算法，模拟输能窗次级电子倍增规律，研究了经典的Vaughan模型、Vincent模型和Rice模型三种二次电子发射模型下次级电子倍增效应的差异，通过拟合倍增敏感曲线，获得了低能电子对切向和法向电场作用下输能窗次级电子倍增效应的影响。模拟结果表明，当切向电场作用时，三个发射模型得到的敏感曲线几乎重合，低能电子对敏感曲线的影响甚微，其中Rice模型的敏感区域最大。当法向电场作用时，由Vincent模型拟合得到的敏感区域远大于其他两个模型。

输能窗速调管低能电子次级电子倍增效应射频击穿 dielectric window klystron low energy electron multipactor RF breakdown

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强激光与粒子束

2020, 32(10): 103008

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