王爱伟 1,2,3李驰 1,2,3,*戴庆 1,2,3,**
作者单位
摘要
1 国家纳米科学中心中国科学院纳米光子材料与器件重点实验室(筹),北京 100190
2 国家纳米科学中心中国科学院纳米卓越中心,北京 100190
3 中国科学院大学材料与光电研究中心,北京 100049
在原子尺度上研究电荷输运超快动力学特性,对于揭示光催化、光合作用等物理化学过程的机制有着重要意义。与高能(>20 keV)电子束相比,低能(<500 eV)电子束在样品表面微弱的局域电场下有较大的散射截面,结合全息成像机制,可以实现亚纳米级的空间分辨能力。因此,若采用具有飞秒时间分辨能力的超快相干电子源,低能电子全息成像有望实现对原子尺度的电荷输运超快动力学过程的表征。首先介绍了超快低能电子全息成像的原理,然后讨论了超快相干电子源的产生机制和性能,在此基础上,阐述了超快低能电子全息成像的研究现状并展望了未来的发展趋势。
全息 电子全息成像 低能电子成像 超快电子源 相干电子源 场发射 电荷输运超快动力学 
中国激光
2023, 50(1): 0113003
作者单位
摘要
湘潭大学 自动化与电子信息学院,湖南 湘潭 411105
在微波输能窗次级电子倍增效应的模拟研究中,往往忽视低能电子的作用。基于Monte Carlo算法,模拟输能窗次级电子倍增规律,研究了经典的Vaughan模型、Vincent模型和Rice模型三种二次电子发射模型下次级电子倍增效应的差异,通过拟合倍增敏感曲线,获得了低能电子对切向和法向电场作用下输能窗次级电子倍增效应的影响。模拟结果表明,当切向电场作用时,三个发射模型得到的敏感曲线几乎重合,低能电子对敏感曲线的影响甚微,其中Rice模型的敏感区域最大。当法向电场作用时,由Vincent模型拟合得到的敏感区域远大于其他两个模型。
输能窗 速调管 低能电子 次级电子倍增效应 射频击穿 dielectric window klystron low energy electron multipactor RF breakdown 
强激光与粒子束
2020, 32(10): 103008
作者单位
摘要
天津工业大学信息与通信工程学院, 天津 300160
研究了低能电子束辐照(LEEBI)对大功率GaN基蓝光LED性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对蓝光LED进行LEEBI,并对比未辐照的LED,研究其电学性质和光学性质的变化。结果表明,在电子束辐照下,LED发光强度提高,正向电压变小,击穿电压变小。同时利用电子束辐照机理对实验结果进行了分析和讨论。
光学器件 发光二极管 低能电子束辐照 氮化镓 
激光与光电子学进展
2010, 47(10): 102301

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