提出一种在AlGaN基 PIN 器件的p-GaN表面上沉积Pt，形成肖特基势垒（SB）-PIN 异质结器件，器件的能带和载流子的输运发生了变化，这种新型光电探测器实现了双波段紫外探测，可分别工作在光伏和光电导模式下。器件在 275 nm波长的紫外光照射的负偏置电压下，工作模式为光伏探测，当入射光功率密度为 100 μW/cm²，偏置电压为-10 V时，器件得到最大响应度（0.12 A/W）；当偏置电压为-0.5 V时，器件得到最大探测率（1.0×10¹³ cm·Hz^1/2·W^-1）。器件在正偏置电压工作模式下可作为高响应、高增益的光电导探测器，当偏置电压为+10 V 时，用275 nm 和365 nm 波长的紫外光照射（光功率密度为100 μW/cm²），器件的响应度分别为10 A/W 和14 A/W，外量子效率分别为4500%和 4890%。所设计的双波段多功能器件将极大地扩展基于AlGaN的紫外探测器的用途。

报道了基于Ge衬底分子束外延碲镉汞原位As掺杂材料的研究结果,进行了As掺杂碲镉汞薄膜生长的温度控制研究;分析了As束流对材料晶体质量的影响,结合 SIMS测试技术得到了 As杂质掺杂浓度与束源炉加热温度的关系;并利用傅里叶红外光谱仪、 X射线双晶衍射、EPD检测等手段对晶体质量进行了分析表征,结果显示利用 MBE方法可以生长出晶体质量良好、缺陷密度低的碲镉汞薄膜;进一步研究了 As杂质的激活退火工艺及不同退火条件对材料电学参数的影响.

报道了分子束外延锗基中波碲镉汞薄膜材料以及 320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器研究的初步结果。利用分子束外延技术基于 3英寸锗衬底生长的中波碲镉汞薄膜材料，平均宏观缺陷密度低于 200 cm－2，平均半峰宽优于 90 arcsec，平均腐蚀坑密度低于 2.9×106 －2；采用标准的二代平面工艺制备的 320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器，平均峰值探cm测率达到 3.8×1011 cm.Hz1/2W－1，平均等效噪音温差优于 17.3 mK，非均匀性优于 6.5%，有效像元率高于 99.7%。

提出了一种评价双色探测器的相对光谱串音的模型及测试方法。为验证模型及测试方法的可行性, 采用分子束外延锗基叠层异质结构碲镉汞薄膜材料, 研制了微台面结构短波/中波双色红外焦平面探测器原理器件, 进行了相对光谱串音测试, 归纳出 3种主要的相对光谱串音模式, 并结合材料、器件结构和工艺特点, 分析了相对光谱串音的成因。

针对红外探测应用开展了长波 GaAs/AlGaAs量子阱材料技术研究。系统地介绍了量子阱红外探测器材料的材料设计、生长和表征。基于一维薛定谔方程的求解获得量子阱材料的能带结构，进行量子阱材料的设计。采用分子束外延技术进行量子阱材料的生长研究。对量子阱材料的室温光荧光谱和高分辨率 X射线衍射测试结果表现出材料高度晶格完整性以及平整界面。基于布鲁斯特角配置的傅立叶红外光谱测试获得了量子阱材料子带间跃迁吸收产生的红外吸收谱。采用该材料制备出高性能的量子阱红外焦平面探测器。

采用分子束外延在 3英寸 Ge(211）衬底上生长了 10 μm厚的 CdTe(211）B薄膜。CdTe表面镜面光亮，3英寸范围厚度平均值 9.72 μm，偏差 0.3 μm；薄膜晶体质量通过 X射线双晶迴摆曲线进行评价，FWHM平均值 80.23 arcsec，偏差 3.03 arcsec；EPD平均值为 4.5×106 cm－2。通过研究 CdTe薄膜厚度与 FWHM和 EPD的关系，得到 CdTe的理想厚度为 8～9 μm。