中国科学院 上海高等研究院 新型显示技术研究中心，上海201210
采用六联苯(p-6P)和氧钒酞菁(VOPc)作为有源层材料，利用弱外延生长技术制备有机薄膜晶体管(OTFT)。在相同的工艺条件下制备了顶栅结构(top-gate)和底栅结构(bottom-gate)两种器件构型，发现两种不同结构的OTFT器件特性存在较大的差异，top-gate OTFT的迁移率比bottom-gate OTFT 高很多。在顶栅结构的器件构型中获得了较高的器件特性参数，迁移率达到1.6 cm2/V·s。研究了弱外延生长技术应用在两种不同器件构型中的差异，并解释了顶栅结构OTFT迁移率较高的原因。
有机薄膜晶体管 顶栅结构 弱外延 氧钒酞菁 organic thin film transistor top-gate configuration weak epitaxy growth VOPc
天津大学精密仪器与光电子工程学院,国家教育部光电信息技术科学重点实验室,天津,300072
本文通过运用Giles模型对L-band EDFA在不同泵浦波长下的增益、不同泵浦功率与光纤长度的关系以及各种增益特性等进行了数值模拟,并同时辅以C-band EDFA进行比较计算,从理论上对L-band EDFA的特性进行了较为详细的分析说明,并得出了新颖的结论.
Giles模型 长波段 光纤放大器 密集波分复用 增益
天津大学精密仪器与光电子工程学院教育部光电信息技术科学重点实验室, 天津 300072
利用Giles模型对L波段掺铒光纤放大器小信号增益特性进行了数值模拟,模拟结果表明最佳铒纤长度并不是一定值,它随输入信号波长的不同而改变,较短的波长对应较短的光纤长度;在数值模拟、分析的基础上,分别采用7 m和9 m的L波段铒光纤构成长波段掺铒光纤放大器,通过实验测量,分析比较了它们的自发辐射谱以及增益和噪声指数,得到了光纤长度对L波段增益谱、噪声指数和自发辐射谱的影响规律;最后,辅以C波段掺铒光纤放大器加以分析,指出了适合于放大L波段信号的最佳自发辐射谱型。
长波段掺铒光纤放大器 放大的自发辐射 增益 噪声指数
天津大学精密仪器与光电子工程学院光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300072
为了进一步提高镱铒共掺杂光纤激光器的实用性,对镱铒掺杂光纤激光器的自脉冲现象进行了理论分析.利用掺杂光纤中铒离子对的可饱和吸收的作用而引起自脉冲运转及离子对互作用模型作为理论基础建立系统模型,通过理论计算分析了共掺杂镱后掺铒光纤的有效抽运速率,证明了镱铒共掺杂可以提高有效抽运速率.使用这种光纤,可以使抑制光纤激光器中离子对导致的自脉冲效应所需的抽运功率水平大大降低.半导体激光器输出的抽运功率足以抑制由离子对导致的自脉冲,提供稳定激光运转.在研制稳定单频或高重复频率锁模光纤激光器方面,这种可用激光二极管抽运的镱铒共掺光纤具有很大的潜力.
光纤激光器 镱铒共掺杂 离子对互作用模型 自脉冲
天津大学精密仪器与光电子工程学院,国家教育部光电信息技术科学重点实验室,天津,300072
通过理论计算,比较了C-带掺铒光纤放大器和L-带掺铒光纤放大器的增益特性,并较为全面地阐述了近几年来国内外对L-带掺铒光纤放大器的研究情况.通过对L-带掺铒光纤放大器工作原理的分析,总结出新的设计思路与方案,提出了一些新的研究点.
L-带掺铒光纤放大器 抽运转换效率 放大自发辐射 增益 宽带放大器
天津大学精密仪器与光电子工程学院,国家教育部光电信息技术科学重点实验室,天津,300072
本文较为全面的阐述了近几年来国内外对长波段掺铒光纤放大器(L-band EDFA)的研究情况,从设计EDFA最主要的技术关键-铒光纤与泵浦源两方面分析了其工作原理,总结出新的设计思路与方案,并提出了一些新的研究点.同时,也分析、介绍了一些结构新颖的宽带(C+L band)EDFA.
泵浦转换效率 放大的自发辐射 增益 宽带掺铒光纤放大器 L-band EDFA L-band EDFA PEC ASE gain wide-band EDFA
天津大学精密仪器与光电子工程学院,国家教育部光电信息技术科学重点实验室,天津,300072
温度对半导体激光器的特性有很大的影响.在要求半导体激光器输出波长稳定的情况下,必须对其温度进行高精度的控制.本文利用高信噪比的运算放大器和普通的负温度系数温度传感器及半导体致冷器做控温元件,研制了一种用于半导体激光器温度控制的高精度温控仪,控制精度可达±0.05℃.
温度传感器 电热致冷器 半导体激光器 温度控制 temperature sensor TEC cooler laser diode temperature control
