中国科学院 上海高等研究院 新型显示技术研究中心，上海201210
采用六联苯(p-6P)和氧钒酞菁(VOPc)作为有源层材料，利用弱外延生长技术制备有机薄膜晶体管(OTFT)。在相同的工艺条件下制备了顶栅结构(top-gate)和底栅结构(bottom-gate)两种器件构型，发现两种不同结构的OTFT器件特性存在较大的差异，top-gate OTFT的迁移率比bottom-gate OTFT 高很多。在顶栅结构的器件构型中获得了较高的器件特性参数，迁移率达到1.6 cm2/V·s。研究了弱外延生长技术应用在两种不同器件构型中的差异，并解释了顶栅结构OTFT迁移率较高的原因。
有机薄膜晶体管 顶栅结构 弱外延 氧钒酞菁 organic thin film transistor top-gate configuration weak epitaxy growth VOPc
