研究了不同界面修饰层对酞菁氧钒(VOPc)薄膜晶体管性能的影响.通过AFM图谱分析不同界面修饰层上VOPc薄膜的生长行为,通过半导体参数测试仪测试分析不同界面上器件的电学特性.实验结果表明,十八烷基三氯硅烷(OTS-18)修饰后生长的VOPc薄膜,比正辛基三氯硅烷(OTS-8)和苯基三氯硅烷(PTS)修饰后的薄膜晶体尺寸更大、质量更优;基于OTS-18修饰的底栅顶接触型VOPc有机薄膜晶体管,在4种结构器件中具有最高的场效应迁移率(051 cm2/V·s),相对于未修饰的器件迁移率提高了近40倍.较长的烷基链能够有效地隔绝VOPc分子和二氧化硅之间的相互作用,利于形成大晶粒尺寸、少缺陷的优质薄膜,获得高迁移率的TFT器件.绝缘层表面自组装单分子层的厚度对其上薄膜的生长行为和相应器件的性能影响极为明显,这一结论对有机半导体薄膜生长和器件制备具有指导意义.
自组装单分子层 薄膜形貌 酞菁氧钒 烷基链 self-assembled monolayer film morphology VOPc alkyl chain
中国科学院 上海高等研究院 新型显示技术研究中心，上海201210
采用六联苯(p-6P)和氧钒酞菁(VOPc)作为有源层材料，利用弱外延生长技术制备有机薄膜晶体管(OTFT)。在相同的工艺条件下制备了顶栅结构(top-gate)和底栅结构(bottom-gate)两种器件构型，发现两种不同结构的OTFT器件特性存在较大的差异，top-gate OTFT的迁移率比bottom-gate OTFT 高很多。在顶栅结构的器件构型中获得了较高的器件特性参数，迁移率达到1.6 cm2/V·s。研究了弱外延生长技术应用在两种不同器件构型中的差异，并解释了顶栅结构OTFT迁移率较高的原因。
有机薄膜晶体管 顶栅结构 弱外延 氧钒酞菁 organic thin film transistor top-gate configuration weak epitaxy growth VOPc
浙江工业大学理学院应用物理系， 浙江 杭州 310023
在水溶液中利用脉冲激光消融制备有机染料酞菁氧钒(VOPc)纳米颗粒，利用原子力显微镜(AFM)观测显示，在入射光总能量一定的前提下VOPc纳米颗粒的平均直径随脉冲能量密度的增大而变大。其纳米颗粒胶状水溶液的紫外可见(UV-Vis)吸收光谱显示，过长的激光消融时间并不能对纳米颗粒的产出提供持续贡献。纳米颗粒的再聚集直接影响了制备效率和制备所得纳米颗粒的尺寸，最终将和纳米颗粒的产出达到动态平衡，而水溶液中的疏水作用力是造成纳米颗粒再聚集的主要原因。
材料 激光技术 纳米颗粒 激光消融 有机染料 酞菁氧钒
用传统的热蒸发的方法制备了厚度为800nm,结构为SiO+CdTe+VOPc+CdTe+SiO的新型液晶光阀复合光吸收层.分析了液晶光阀对光吸收系数的要求.得到了在最优的工艺条件下红绿蓝三色的吸收系数达到αR=7.8×105cm-1、αG＝6.8×105 cm-1、αB＝7.2×105cm-1的液晶光阀复合光吸收层.
液晶光阀 酞菁氧钒 光吸收层 吸收系数 LCLV VOPc light absorption layer absorption coefficient
1 复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室, 上海 200433
2 中国科学院北京感光化学研究所, 北京 100101
3 上海交通大学应用化学系, 上海 200030
报道了Al/VOPc/ITO夹心结构在稳态连续光照射下的光电压作用谱。稳态光电压作用谱不仅依赖于照射光的波长,而且依赖于VOPc(钒氧酞菁)多晶薄膜的堆积方式。对VOPc在相I、相II、及α型三种堆积方式下的稳态光电压波长响应进行了研究,并对其内在机制作了初步探讨。
钒氧酞菁多晶薄膜 稳态光电压 波长响应
