1 国防科学技术大学 光电科学与工程学院， 长沙 410073
2 光电信息控制和安全技术重点实验室, 河北 三河 065201
用1064nm皮秒脉冲激光辐照PV型线阵HgCdTe探测器，随着激光能量的增大，探测单元出现了不同程度的损伤，发现了致损单元的反常响应现象，致损单元响区蓝移，对波长为1064nm的光响应灵敏度明显增强。结果表明：受损单元p型碲镉汞层出现汞析出现象后，受损光敏元碲镉汞材料组分和载流子浓度发生变化，pn结耗尽层宽度的变化导致pn结等效电阻变化，这是导致芯片损伤单元出现反常响应的主要因素。研究发现受损光敏元随着碲镉汞材料组分增大，碲镉汞材料能带禁带宽度增大，使探测器响区出现蓝移现象，这是损伤单元对波长为1064nm激光响应更加灵敏的主要原因。
HgCdTe线阵探测器 激光 反常响应 耗尽层电阻 响区蓝移 禁带宽度 HgCdTe linear array detector laser abnormal response depletion layer resistance response range blue shift band gap width
1 国防科学技术大学 光电科学与工程学院， 长沙 410073
2 中国人民解放军95844部队， 甘肃 酒泉 735018
针对MCT红外焦平面阵列器件普遍存在的光串扰问题进行研究，从器件内部结构上，建立了线阵器件理论计算模型，并基于载流子连续性方程，利用Comsol软件对光串扰的大小进行了数值定量计算，研究了不同探测器结构尺寸、温度和材料等参数对光串扰的影响; 从器件外部结构上，利用几何光学，研究了外部光学结构对光串扰的影响。研究结果表明，器件内部的衬底外延层厚度与器件外部的真空层对光串扰的影响最大，为今后红外焦平面器件结构的改进提供了一定的理论指导。
阵列探测器 Comsol软件 光串扰 HgCdTe HgCdTe linear array detector Comsol code optical crosstalk 强激光与粒子束
2012, 24(10): 2325
国防科学技术大学光电科学与工程学院, 湖南 长沙 410073
采用多种波段内激光辐照带有电容反馈互导放大器（CTIA）读出电路的PV型线阵HgCdTe探测器，实验均发现，当激光功率密度增强到约10-2 W/cm2时，未辐照像素也存在响应，且其基底信号出现以前未曾发现的反常响应，即随功率密度的增加，未辐照像素基底信号的响应值先下降后上升，并且噪声增大。针对这一反常响应现象进行了深入研究，结果表明器件内部公共P级结构、电路共用Vref电压结构是导致这一反常响应的主要原因。
探测器 阵列探测器 激光 CTIA读出电路 光学学报
2012, 32(10): 1004001
