用SCAPS构建了铜锑硫薄膜太阳电池模型, 计算了器件的性能。分别研究了吸收层厚度、载流子浓度、缺陷密度和背电极功函数对器件性能的影响。结果表明, 过薄的吸收层对绿光和红光吸收不充分, 1.5~3 μm厚的吸收层能满足光谱吸收要求。当受主浓度为2×1018 cm-3时, 器件光电转换效率最高。缺陷密度大于10-14 cm-3时, 器件的光电转换效率急剧降低。贫铜富硫气氛制备铜锑硫可以提高受主浓度, 减小开路电压亏损, 也可以抑制硫空位缺陷形成, 从而提高器件的光电转换效率。功函数较高的材料能降低背电极势垒, 减少载流子在背电极复合。材料参数优化后, 器件的光电转换效率最高为21.74%。

采用传统的固相反应法将Sn、Ge以不同质量比掺入(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.09Ti0.91-2xSnxGex)O3(x为质量比)无铅压电陶瓷中, 研究其相结构、微观组织、介电性能和压电性能的影响。结果表明, Sn、Ge掺入晶体内部后仍为单一的钙钛矿结构, 没有明显的第二相产生, 但掺杂引起了晶体内部晶格的变化。随着Sn、Ge掺杂量的逐渐增加, 其压电常数和机电耦合系数呈现先增大后减小的趋势。当Sn、Ge的掺杂量x=0.032时, 该体系的居里温度最高(为122 ℃)。

提出一种基于相移与焦移法的三维面形垂直测量方法，当投影仪变焦扫描被测物体的深度信息时，将三步相移中的三帧条纹图依次连续循环投影到被测物体表面上，相机同步采集对应的条纹图。在计算投影仪每一焦距值对应的条纹图的调制度分布时，利用该焦距位置及其前后相邻焦距值位置处的三帧条纹图近似计算该焦距位置处的调制度分布，并根据调制度值最大值与深度信息的关系重建被测物体的三维形貌。实验结果表明，所提方法的条纹投影量和数据采集量仅占传统三步相移法的1/3，却可获得与传统三步相移法几乎相同的测量精度。在1100 μm测量深度范围内，相移与焦移法对任意位姿斜面的测量均方根误差平均值可达4.98 μm。

铋基卤化物材料因其无毒和优良的光电性能而显示出巨大的应用潜力。BiI3作为一种层状重金属半导体, 已被用于X射线检测、γ射线检测和压力传感器等领域, 最近其作为一种薄膜太阳能电池吸收材料备受关注。本文采用简单的气相输运沉积(VTD)法, 以BiI3晶体粉末作为蒸发源, 在玻璃基底上得到高质量c轴择优取向的BiI3薄膜。并通过研究蒸发源温度和沉积距离对薄膜物相和形貌的影响, 分析了BiI3薄膜择优生长的机理。结果表明VTD法制备的BiI3薄膜属于三斜晶系, 其光学带隙为~1.8 eV。沉积温度对薄膜的择优取向有较大影响, 在沉积温度低于270 ℃时, 沉积的薄膜具有沿c轴择优取向生长的特点, 超过此温度, c轴择优取向生长消失。在衬底温度为250 ℃、沉积距离为15 cm时制备的薄膜结晶性能最好, 晶体形貌为片状八面体。

报道了全光纤耗散孤子被动锁模掺铒光纤激光器，通过调节泵浦功率和偏振态可以进一步获得2孤子和3孤子的束缚态耗散孤子。利用反常色散光纤对宽带2孤子束缚态耗散孤子进行脉宽压缩，压缩后的脉宽用双曲正割拟合为96 fs，计算得时间带宽积为0.324，表明其为近转换极限脉冲。宽带光谱的获得得益于腔内的色散管理和碳纳米管可饱和吸收体的大调制深度（20%）。在此基础上，获得了光谱宽度达35 nm的耗散孤子（中心波长为1.57 μm），这也是基于碳纳米管产生耗散孤子的最宽光谱。

相比用于制备晶体材料的化学气相输运(Chemical Vapor Transport, CVT)方法，近空间气相输运沉积(Close-spaced Vapor Transport Deposition, CSVT)及气相输运沉积(Vapor Transport Deposition, VTD)方法不为人们所熟知。近几年来，气相输运沉积逐渐应用于锑基薄膜(Sb2Se3、Sb2S3及Sb2(Se,S) 3)、锡基薄膜(SnS、SnS2)及铋基薄膜(Bi2Se3、Bi2Te3)等材料的制备，有可能成为一种重要的材料制备方法。本文综述了气相输运沉积用于化合物薄膜制备 的研究进展，对其特点进行分析，并对其发展趋势进行了展望。

传输增强是基于非空心双层超材料滤波器的模拟验证.所提出的结构包含覆盖在连续介电层上的连续金属膜. 与单金属层结构相比, 模拟传输明显增强. 模拟验证了介电层厚度和入射角对传输增强的影响. 发现当厚度h1为20 nm时, 实现了最大化的透射率增强. 此外, 所提出的紧凑金属-电介质双层薄膜在入射角达到45°时显示出透射率增强的稳定性, 由于其非空心化设计策略, 可以应用于许多潜在的领域.

采用磁控溅射方法, 在多晶硅薄膜太阳电池表面沉积了不同粒径大小的Au纳米粒子, 利用粒径大小可调控的Au纳米粒子的局域表面等离激元共振增强效应(LSPR), 对入射光中的可见光区域实现“光俘获”; 采用UVvis吸收光谱对LSPR进行了研究, 结果表明, LSPR能够有效拓展Au纳米粒子的光谱响应范围(400~800nm), 并且, 随着Au纳米粒子粒径的增大, LSPR共振吸收峰呈现出明显“红移”; 同时, 通过SERS表征, 证实LSPR能够有效增强Au纳米粒子周围的局域电磁场强度; 最后, 多晶硅太阳电池的JV特性曲线表明, 当Au纳米粒子溅射时间为50s时, 多晶硅太阳电池光电转换效率(η)最高为14.8%, 比未修饰Au纳米粒子的电池η提高了42.3%。

调制度轮廓术采用条纹投影和成像共轴的系统结构，将被测物体的高度信息编码在条纹的模糊程度中，无需相位展开即可完成对复杂物体的面形测量，能有效避免阴影、遮挡和相位不连续等问题。在实际测量中，由于CCD探测器光电响应的非线性，高次频的引入直接影响调制度分布的提取，从而降低系统的测量精度。研究了小波变换应用于受到非线性因素影响下的条纹调制度提取，从信号频域角度分析并推导了该方法提取条纹调制度的表达式。在进行条纹解调时采用最佳的加权滤波窗，有效抑制了非线性因素对测量精度的影响，获得比傅里叶变换更好的重建效果，计算模拟和实验验证了该结论的正确性。