1 昆明物理研究所，云南 昆明 650223
2 陆军装备部驻重庆地区军事代表局驻昆明地区第一军事代表室，云南 昆明 650223
基于当前红外探测器技术的发展方向，从高工作温度红外探测器应用需求的角度分析了碲镉汞高工作温度红外探测器在组件重量、外形尺寸、功耗、环境适应性及可靠性方面的优势。总结了欧美等发达国家在碲镉汞高工作温度红外探测器研究方面的技术路线及研究现状。从器件暗电流和噪声机制的角度分析了碲镉汞光电器件在不同工作温度下的暗电流和噪声变化情况及其对器件性能的影响；总结了包括基于工艺优化的Hg空位p型n-on-p结构碲镉汞器件、基于In掺杂p-on-n结构和Au掺杂n-on-p结构的非本征掺杂碲镉汞高工作温度器件、基于nBn势垒阻挡结构的碲镉汞高工作温度器件及基于吸收层热激发载流子俄歇抑制的非平衡模式碲镉汞高工作温度器件在内的不同技术路线碲镉汞高工作温度器件的基本原理，对比分析了不同技术路线碲镉汞高工作温度器件的性能及探测器制备的技术难点。在综合分析不同技术路线高温器件性能与技术实现难度的基础上展望了碲镉汞高工作温度器件技术未来的发展方向，认为基于低浓度掺杂吸收层的全耗尽结构器件具备更好的发展潜力。
碲镉汞 俄歇抑制 SRH抑制 暗电流 高工作温度 HgCdTe auger suppression SRH suppression dark currents HOT 红外与激光工程
2021, 50(4): 20200328
碲镉汞(MCT)自从问世以来一直是高端红外(IR)探测器领域的首选材料，分子束外延碲镉汞技术具有低成本异质外延、材料能带精准调控、原位成结等优势，是第三代红外焦平面陈列(FPA)器件研制的重要手段。本文报道了昆明物理研究所分子束外延（MBE）MCT薄膜技术进展，包括材料结构、晶体质量、表面缺陷、材料均匀性、掺杂浓度等参数优化控制的研究结果。异质衬底、碲锌镉衬底上MCT薄膜尺寸分别为4英寸(10.16 cm)及2.5 cm×2.5 cm，材料EPD值分别在1×106 cm-2附近及(3~30)×104 cm-2范围，表面宏观缺陷密度分别在30 cm-2附近及100~300 cm-2范围，薄膜质量与国内外先进水平相当。采用分子束外延MCT薄膜实现了2 048×2 048中波红外（MWIR）、2 048×2 048短波甚高分辨率红外（SWIR）焦平面、640×512中短双色红外（S-MWIR）、320×256中中双色红外（M-MWIR）FPA探测器的研制和验证。
分子束外延 碲镉汞 碲锌镉衬底 异质衬底 红外探测器 molecular beam epitaxy（MBE） HgCdTe CdZnTe substrate alternative substrate IR dector
1 昆明物理研究所，云南昆明 650223
2 国网辽阳供电公司，辽宁辽阳 111000
本文简述了 MBE异质外延碲镉汞薄膜位错形成机理、位错在外延层中的演化过程以及位错抑制理论，总结了国内外 CdTe缓冲层的位错抑制技术、HgCdTe薄膜的位错抑制技术，分析了热循环退火技术各个要素与位错密度变化之间的关系。
异质衬底 碲镉汞 位错抑制 循环退火 腐蚀坑密度 hetero-substrate HgCdTe dislocation suppression cycle annealing etch pit density (EPD)
基于Silvaco TCAD 三维数值模拟方法研究了小像元HgCdTe 红外焦平探测器的电串音。通过分析中心像元光生载流子纵向输运和横向输运与电串音的相关性，揭示了光生载流子横向扩散是造成小像元HgCdTe 红外焦平面探测器中电串音迅速增加的主要原因。对小像元HgCdTe 红外焦平电串音的抑制方法进行探讨，计算结果表明适当调整吸收层厚度和引入组分梯度能够有效抑制小像元HgCdTe 红外焦平面探测器中的电串音。本文的研究对小像元碲镉汞红外焦平面探测器的设计具有一定的指导意义。
小像元碲镉汞 焦平面 电串音 small pixel-pitch HgCdTe FPA electrical-crosstalk
介绍了大面阵偏振长波量子阱红外焦平面探测器组件的研制进展。在640×512规模20 μm中心距面阵上, 偏振焦平面采用了2×2子单元设计, 子单元中每个像元分别刻蚀0°、 90°、 45° 以及135°方向的一维线性光栅, 来获得入射光不同偏振角度的信息。突破了长波量子阱材料外延和器件制备等关键技术, 制备出面阵探测器芯片, 实现了偏振长波红外探测的单片集成, 配上杜瓦和制冷机, 研制出噪声等效温差优于30 mK的长波偏振640×512量子阱探测器组件。
偏振长波红外探测 大面阵量子阱焦平面组件 单片集成 polarimetric LWIR detection large format QWIP FPA assembly single-chip integration 红外与激光工程
2017, 46(1): 0104004
通过研究波导两侧缺陷处的折射率对二维光子晶体波导透射光谱的影响，提出一种提高折射率传感器灵敏度的方案。计算结果表明光子透射带上边沿的偏移量与传感区折射率的大小存在一定关系，在相同的折射率变化量下通过改变波导两侧缺陷处圆孔的相关几何参数可极大提高光子透射带上边沿的偏移量，即提高折射率传感器的灵敏度。通过优化设计，传感器的灵敏度由折射率变化区间0.0~1.0 的55 nm/RIU(RIU 表示折射率单元)与1.1~2.0 的36 nm/RIU 分别提高到对应的405 nm/RIU 以及222 nm/RIU。
光学器件 折射率传感器 灵敏度优化 光子晶体波导 光子带隙 时域有限差分法 激光与光电子学进展
2014, 51(5): 052304
