李桂华 1王紫威 1孙卫庆 1葛朋祥 2,**[ ... ]张梅 1,*
作者单位
摘要
1 安徽大学电气工程与自动化学院,安徽 合肥 230601
2 安徽建筑大学机械与电气工程学院,安徽 合肥 230601
三维数字图像相关技术在获取工件表面信息方面有重要应用,针对单相机系统在全场测量中的局限性及多相机系统在全场测量中的复杂性,本文提出一种双平面镜辅助的双相机视觉测量方法,并应用在三维重建中。即:分析像素点到三维点的实际映射关系,基于公垂线中点法进行目标点三维重构,确定棋盘格标定板角点的三维坐标;分析角点在镜面的虚实对应关系,标定镜面位置方程,得到反射变换矩阵;通过反射变换矩阵完成物面的虚实转换,最终实现三维全场测量。为验证该方法的可行性和可靠性,分别进行了静态实验和动态实验。结果表明:在游戏币静态实验中,其正反轮廓的三维重建效果良好;在五棱铝柱热变形动态实验中,铝柱外侧表面高度变化均值与Ansys软件的仿真结果基本一致,且优于在镜面上喷涂散斑的重建方法,具有较高的精度。
测量 双相机 数字图像相关 全场测量 热变形 
光学学报
2024, 44(8): 0812003
Author Affiliations
Abstract
1 Jinan University, College of Physics & Optoelectronic Engineering, Institute of Nanophotonics, Guangdong Provincial Key Laboratory of Nanophotonic Manipulation, Guangzhou, China
2 Tsinghua University, Shenzhen International Graduate School, State Key Laboratory of Chemical Oncogenomics, Shenzhen, China
3 Jinan University, College of Life Science and Technology, Guangzhou, China
Narrowband photodetection is an important measurement technique for material analysis and sensing, for example, nondispersive infrared sensing technique. Both photoactive material engineering and nanophotonic filtering schemes have been explored to realize wavelength-selective photodetection, while most devices have a responsive bandwidth larger than 2% of the operating wavelength, limiting sensing performance. Near-infrared photodetection with a bandwidth of less than 0.2% of the operating wavelength was demonstrated experimentally in Au/Si Schottky nanojunctions. A minimum linewidth of photoelectric response down to 2.6 nm was obtained at a wavelength of 1550 nm by carefully tailing the absorptive and radiative loss in the nanostructures. Multiple functions were achieved on chip with the corrugated Au film, including narrowband resonance, light harvesting for sensing and photodetection, and electrodes for hot electron emission. Benefiting from such a unity integration with in situ photoelectric conversion of the optical sensing signal and the ultranarrowband resonance, self-contained on-chip biosensing via simple intensity interrogation was demonstrated with a limit of detection down to 0.0047% in concentration for glucose solution and 150 ng / mL for rabbit IgG. Promising potential of this technique is expected for the applications in on-site sensing, spectroscopy, spectral imaging, etc.
plasmonics hot electron sensor photodetector spectroscopy 
Advanced Photonics
2024, 6(2): 026007
作者单位
摘要
1 西北师范大学 物理与电子工程学院,兰州 730070
2 西南交通大学 希望学院,成都 610400
研究了相对论电磁波在热等离子体中传播时的色散特性以及由于非线性电子声波激发引起的电子声波的非线性频移。基于相对论激光在热等离子体中传播的电磁流体物理模型,采用流体的非线性频移理论,利用微扰法得到了描述相对论激光与热等离子体相互作用时谐波产生的非线性频移方程。结果表明,等离子体密度、电子温度和一阶谐波振幅是决定相对论热等离子体中非线性频移的主要因素。在弱激发下,非线性频移随着电子温度和一阶谐波振幅的增大而增大,等离子体密度抑制非线性频移。电子声波非线性频移对等离子体密度和电子温度的依赖表现出了强烈的非线性特征。研究结果为深入理解高能量激光与热等离子体相互作用中谐波的产生及引起的非线性频移提供了理论依据。
电磁脉冲 热等离子体 电子声波 非线性频移 electromagnetic pulse hot plasma electron acoustic wave nonlinear frequency shift 
强激光与粒子束
2024, 36(1): 012002
尚晓峰 1董建舟 1,2张英伟 4王志国 2,3,*[ ... ]赵吉宾 2,3
作者单位
摘要
1 沈阳航空航天大学机电工程学院,辽宁 沈阳 110135
2 中国科学院沈阳自动化研究所,辽宁 沈阳 110016
3 中国科学院机器人与智能制造创新研究院,辽宁 沈阳 110169
4 航空工业沈阳飞机工业(集团)有限公司,辽宁 沈阳 110850
针对目前激光选区熔化难以直接成形大尺寸、高强度铝合金构件的问题,对定向能量沉积(DED)连接激光选区熔化成形Al-Mg-Sc-Zr合金的工艺进行研究,分析缺陷分布的位置、形貌以及对力学性能的影响,对比分析定向能量沉积参数以及超声外场辅助下连接试样的微观组织、元素分布和力学性能,并通过热等静压进一步提升力学性能。结果表明:缺陷主要分布在基材与连接区交界的熔合区,密集气孔聚集导致熔合区硬度远低于连接区和基材的硬度,并使整体拉伸性能弱化。在75~150 J/mm2激光能量密度范围内,随能量密度增大,致密度和抗拉强度均提升。采用3000 W激光功率、5 mm/s扫描速率、3.7 g/min送粉速率,得到最高的熔合区硬度、连接区致密度以及抗拉强度,分别为90 HV、90.83%、203.38 MPa。超声外场辅助会促进Al3(Sc,Zr)强化相的析出并细化晶粒,且能够有效减少气孔的数量和缩小气孔的尺寸。超声后试样的综合力学性能得到显著提升,熔合区硬度为95 HV,致密度为93.06%,抗拉强度为292 MPa,较未加超声时分别提高了5%、2.4%和44%。超声后采用热等静压的后处理方法,可使综合力学性能得到进一步提升,熔合区硬度为160 HV,致密度为99.99%,抗拉强度为405.71 MPa,较未热等静压时分别提高了68.4%、7.4%和38.9%。
光学设计 定向能量沉积 连接 Al-Mg-Sc-Zr合金 超声外场辅助 力学性能 热等静压 
光学学报
2024, 44(4): 0422002
作者单位
摘要
1 华中科技大学武汉光电国家研究中心,湖北 武汉 430074
2 九江中科激光技术研究院,江西 九江 332005
以Q235低碳钢为材料,研究了光束扫描对激光热丝焊的焊缝成形特性、微观组织和力学性能的影响。结果表明:在扫描激光的作用下,焊缝的成形变得更加均匀,飞溅减少,焊缝熔深减小,熔宽增大,截面熔合区底部变得更加平滑;扫描激光的加入降低了熔池的温度梯度,抑制了粗大柱状晶的生长,改变了铁素体晶粒形态,细化了熔合区组织,提高了焊缝韧性及延伸率;扫描激光促进了焊缝成分的均匀化分布,抑制了偏析,降低了熔合区显微硬度。由于激光作用面积增大等因素,光束扫描增强了激光热丝焊接对间隙的桥接能力。
激光技术 激光热丝焊接 光束扫描 微观组织 力学性能 
中国激光
2024, 51(12): 1202106
作者单位
摘要
中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
第三代红外探测器发展的一个重要方向是高工作温度探测器。对于碲镉汞n-on-p探测器而言,n+-n--p结构以及良好的钝化工艺能够有效的抑制暗电流的产生,从而在高工作温度条件下获得较好的探测器性能。基于自行开发的成结模拟器,对n+-n--p结构的高温器件进行了工艺仿真和器件仿真,获得成结过程的制备参数,并结合抑制表面漏电的组分梯度钝化工艺,将高工作温度下的暗电流抑制至理论极限,研制出可以在更高温度工作下的碲镉汞n-on-p红外焦平面探测器。经测试,中波n-on-p红外焦平面器件在不同工作温度下性能优异,在80K工作温度下噪声等效温差(NETD)达到了6.1 mK,有效像元率为99.96%;而在150K工作温度下噪声等效温差(NETD)为11.0 mK,有效像元率为99.50%,达到了同类器件的理论极限。
碲镉汞 n+-n--p 高工作温度 红外焦平面 HgCdTe n+-n--p high operation temperature(HOT infrared focal plane array 
红外与毫米波学报
2024, 43(1): 23
作者单位
摘要
联合微电子中心有限责任公司, 重庆 400000
为了解决传统T型偏置器(Bias-T)在硅基高速调制器测试过程中, 因直流(DC)源导通/截止或者链路产生热插拔时容易导致高速信号源出现不可逆的损坏问题, 首先分析了问题产生的原因和常规解决方法的优缺点, 然后设计了一种用于硅基高速调制器测试的有源Bias-T电路。该电路在传统Bias-T基础上利用微波放大器芯片中晶体管的特性来隔离直流源在馈电导通/截止或者热插拔时产生的冲击电压。最后, 对有源Bias-T电路进行了仿真设计和测试。测试结果表明: 该电路带宽大于25 GHz, 脉冲电压为±0.055 V左右, 消除了信号源设备损坏的风险。
硅基高速调制器 热插拔 有源T型偏置器 信号抑制 silicon-based high-speed modulator, hot swap, acti 
光通信技术
2023, 47(6): 0038
作者单位
摘要
西安科技大学 电气与控制工程学院,陕西西安710054
针对复杂环境下光伏电池板热斑故障的多尺度目标导致检测困难的问题,提出一种融合知识蒸馏和注意力机制的检测算法。为实现故障特征信息高效提取与保留,设计一种融合高阶空间交互和通道注意力的模块以提升网络对于故障特征信息的表达能力;为增强复杂背景下目标信息表达能力,构建一种结合通道和位置信息的注意力模块来提高网络对于故障位置信息的识别准确率;采用知识蒸馏思想将教师网络的参数迁移至学生网络,在不增加任何复杂度的前提下提升学生网络的检测精度。为进一步精确定位热斑目标,引入Focal-CIoU损失函数加速网络收敛,从而提升检测性能。为验证算法有效性,与8种经典算法进行比较,实验结果表明,本文算法的检测精度最高,精度达84.8%,对于分辨率为640×512的图像检测速度可达142 FPS。
深度学习 光伏热斑检测 知识蒸馏 注意力机制 deep learning photovoltaic hot spot detection knowledge distillation attention mechanism 
光学 精密工程
2023, 31(24): 3640
作者单位
摘要
1 上海电力大学 电子与信息工程学院, 上海 200090
2 深圳锐越微技术有限公司, 广东 深圳 518172
无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应 (SCE) 卓越的抑制能力而被关注, 自热效应 (SHE)作为影响其电热性能的关键问题而被广泛研究。文章基于TCAD数值仿真, 通过对环境温度(TA)、接触热阻(Rtc)以及侧墙长度(LS)对体传导的JLNT-FET和表面传导的IMNT-FET的最大晶格温度(TLmax)、最大载流子温度(TCmax)、漏极电流(IDS)和栅极泄漏电流(IG)等器件参数影响的分析, 对比研究了JLNT-FET和IMNT-FET中传导机制对电热特性的影响。结果表明, 较高的TA、较大的Rtc及较小的LS, 都会加剧器件的声子散射, 导致严重的SHE。同时, 由于传导机制的差异, 体传导受界面散射和声子散射影响较小, JLNT-FET具有更好的电热特性。
无结纳米管场效应晶体管 反转模式纳米管场效应晶体管 电热特性 自热效应 热载流子注入 junctionless nanotube FET inversion-mode nanotube FET electrothermal self-heating effect hot carrier injection 
微电子学
2023, 53(5): 910
作者单位
摘要
昆明物理研究所,云南 昆明 650223
提高红外探测器的工作温度对于减小红外系统的尺寸、重量和功耗至关重要,进而实现结构紧凑和成本低廉的红外系统。昆明物理研究所多年来对掺铟和砷离子注入技术的HgCdTe p-on-n技术进行了优化,实现了性能优异的中波红外探测器的研制。本文报道了高工作温度中波1024×768@10 μm红外焦平面阵列探测器的最新结果,并介绍了在150 K工作温度下的器件性能。结果标明,器件在150 K下截止波长为4.97 μm,并测得了不同工作温度下的NETD、暗电流和有效像元率。此外,还展示了在150 K的工作温度下焦平面器件的红外图像,并呈现了99.4%的有效像元率。
碲镉汞 高工作温度 中波红外 噪声等效温差 暗电流 HgCdTe HOT MWIR NETD dark current 
红外与毫米波学报
2023, 42(6): 711

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