红外荧光粉是制备基于蓝光芯片宽带近红外光源的关键。采用高温固相法制备了LiScSi2O6: Cr3+近红外荧光粉样品并制备了相应的pc-LED器件, 详细研究了样品的光致发光特性及pc-LED的性能。荧光粉在460nm蓝光激发下产生中心波长为850nm, 半高宽约为156nm的宽带近红外光谱。在温度为160 ℃时, 发光峰的强度下降为室温下的75.38%。把粉体涂覆在InGaN蓝光芯片(Pmax=5W)表面制备的近红外pc-LED, 得到最大近红外光输出功率为436.7mW @ 300mA, 最大电光转化效率为18.3% @ 1mA。采用pc-LED作为红外光源, 隐藏在油墨下的文字信息清晰可见, 表明该红外荧光粉可用于制备基于蓝光芯片的宽带红外光源, 且在夜视和信息防伪领域有良好的应用前景。

以InGaAs多量子阱为有源区材料,以对抽运光透明的AlGaAs/AlAs为后端分布布拉格反射镜材料,采用后端抽运方式,在腔内插入标准具作为滤波元件,通过腔内倍频,获得小型化可调谐的光抽运外腔面发射绿光激光器。作为滤波元件,标准具可压窄基频光的光谱半峰全宽。为了阻止倍频光返回到增益芯片,标准具镀有倍频光高反膜。激光器的基频光调谐范围超过10 nm,倍频绿光在中心波长559 nm处的调谐范围为4 nm,光谱半峰全宽为1.0 nm,最大输出功率为65 mW。

采用高温固相法在1 350 ℃弱还原气氛下制备了Sr1-xBaxAl2O4∶Eu2+,Dy3+ (x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0)长余辉材料,并对其微观结构和发光特性进行了分析。X射线衍射结果表明,当钡的掺杂摩尔分数x＜0.4时,样品晶体结构为SrAl2O4单斜晶系结构;当x≥0.4时,样品晶体结构为BaAl2O4六角晶系结构;而且随着钡对锶的取代,两种晶体结构的晶格常数都发生了一定程度的膨胀。光致发光测试结果表明,当x从0增大到1.0时,样品发射波长峰值也相应由515 nm逐渐蓝移到494 nm。通过热释光谱测试表明, SrAl2O4结构的样品的热释光峰所对应的温度比BaAl2O4 结构的要高,且对应SrAl2O4结构的样品的余辉时间更长,初始亮度更高。

采用高温固相法，先在空气气氛下制备了SrAl2O4∶Eu,Dy，后对其进行还原→氧化→还原处理。X射线衍射结果表明，经过还原→氧化→还原处理后样品的晶体结构没有改变。样品的发射光谱测试表明，在高温空气气氛下有少量的Eu3+还原成Eu2+。Eu3+和Eu2+有不同的发光特性，Eu3+产生的是线状特征光谱，发射峰值在592，616 nm。Eu2+产生的是带状光谱，带的中心位置在513 nm。经过还原处理的样品和经过氧化处理的样品相比，Eu2+的浓度得到显著提高，而Eu3+的浓度则急剧下降。对Eu2+的氧化、Eu3+的还原的机理进行了细致地讨论。另外，样品的热释光谱测试表明，经过氧化气氛处理和经过还原气氛处理过的样品的热释光峰值有很大的变化，但陷阱能级深度基本不变，在0.65 eV左右。这表明，对长余辉材料SrAl2O4∶Eu,Dy进行还原→氧化→还原处理，Eu离子价态和发光强度会产生变化，并不影响其中Dy离子的陷阱能级。