作者单位
摘要
1 广州新视界光电科技有限公司,广东 广州 510530
2 华南理工大学 高分子光电材料及器件研究所,广东 广州 510640
3 季华实验室,广东 佛山 528000
4 长春希达电子技术有限公司,吉林 长春 130103
柔性电子设备的快速发展对薄膜晶体管(TFT)提出了低功耗、耐弯折和可低温制备的要求。其中,栅极绝缘层是核心材料之一。溶液法制备有机栅极绝缘层具有低成本、柔韧性强的优点,适合大面积加工。本文采用喷墨打印法实现了聚乙烯吡咯烷酮(PVP)墨水的印刷成膜,采用XPS分析了不同退火温度处理的印刷PVP薄膜成分差异,并测试了PVP器件的漏电流、电容和转移特性参数。200 ℃退火的PVP薄膜漏电流密度≤10-4A/cm2 (5 V),相对介电常数约为3.8,玻璃衬底器件饱和迁移率达到4.6 cm2/(V?s),开关比≥105;PI柔性衬底器件在20 mm弯折半径下迁移率2.8 cm2/(V?s),开关比约6×104,在柔性电子领域有一定的应用前景。
喷墨打印 柔性衬底 有机绝缘材料 薄膜晶体管 inkjet printing flexible substrate organic dielectric material thin-film transistor 
液晶与显示
2021, 36(5): 633
陶洪 1,2芈月安 1,2古皓 1,2李雪健 1,2[ ... ]任国斌 1,2,*
作者单位
摘要
1 北京交通大学全光网络与现代通信网教育部重点实验室, 北京 100044
2 北京交通大学光波技术研究所, 北京 100044
针对机械微弯长周期光纤光栅的基模HE11到高阶纤芯矢量模式(TE01、TM01和HE21)的耦合特性,分析了阶跃型和反抛物线型两种少模光纤结构下机械微弯长周期光纤光栅的光栅周期、微弯幅度和耦合系数等参数对矢量模式耦合的影响。研究结果表明,耦合系数是模式耦合过程中的关键,通过施加压力改变光纤的微弯幅度可以有效调谐光栅矢量模式的耦合强度。基于反抛物线型光纤结构的机械微弯长周期光纤光栅可以特定波长激发特定的高阶矢量模式(TE01、TM01和HE21),并且由基模向高阶模式转换的谐振波长可调谐。该机械微弯长周期光纤光栅在矢量模式复用、轨道角动量的产生和复用领域有潜在的应用价值。
光纤光学 机械微弯长周期光纤光栅 少模光纤 矢量模式转换 
光学学报
2020, 40(12): 1206003
陶洪 1,2芈月安 1,2任文华 1,2简伟 1,2任国斌 1,2,*
作者单位
摘要
1 北京交通大学全光网络与现代通信网教育部重点实验室, 北京 100044
2 北京交通大学光波技术研究所, 北京 100044
为了实现模分复用系统中的模式转换,提出了基于环形光纤的倾斜长周期光纤光栅的矢量模式转换方法。利用有限差分法和耦合模理论,研究了折射率调制的倾斜角度、幅度函数、光栅长度及耦合系数对模式耦合的影响。结果表明,在相位匹配条件下,该光栅可在不同波长处实现基模到特定高阶矢量模式的转换,且波长间隔大于150 nm。倾斜角度在模式耦合中起着关键作用,在倾斜角度约为84°时转换效率可达到最大。与现有模式转换方法相比,这种模式转换器模式间隔较大,模式间串扰低、转换效率高,在轨道角动量复用和矢量模式复用中有潜在应用价值。
光纤光学 倾斜长周期光纤光栅 矢量模式转换 少模环形光纤 耦合模理论 
中国激光
2020, 47(6): 0606002
古皓 1,2汤敏 1,2曹敏 1,2芈月安 1,2[ ... ]任国斌 1,2
作者单位
摘要
1 北京交通大学 全光网络与现代通信网教育部重点实验室, 北京 100044
2 北京交通大学 光波技术研究所, 北京 100044
提出了一种基于环形芯铒离子部分掺杂光纤的涡旋光纤放大器。针对该掺铒光纤的放大特性, 研究了光纤长度、掺铒浓度与抽运功率对信号模式增益特性的影响。研究结果表明, 该光纤放大器能够支持22个轨道角动量模式稳定传输, 且C波段(1 530~1 565 nm)所有信号模式增益大于23 dB, 信噪比高于27 dB, 差分模式增益小于0.015 dB。所提出的基于环形芯光纤的涡旋光纤放大器具有支持轨道角动量模式数量多、差分模式增益低、信噪比高的优势, 对于OAM复用长距离传输系统中的在线放大具有重要参考价值。
光纤放大器 轨道角动量 有效折射率差 差分模式增益 自发辐射放大 fiber amplifier orbital angular momentum effective refractive index difference differential mode gain amplified spontaneous emission 
发光学报
2020, 41(1): 55
作者单位
摘要
1 广州新视界光电科技有限公司, 广东 广州510730
2 华南理工大学 发光材料与器件国家重点实验室, 广东 广州510641
3 华南理工大学 电子与信息学院, 广东 广州510641
为了实现氧化物薄膜晶体管(TFT)的低电阻布线,采用Cu作为氧化物TFT的源漏电极。通过优化成膜工艺制备了电阻率低至2.0 μΩ·cm的Cu膜,分析了Cu膜的晶体结构、粘附性及其与a-IZO薄膜的界面,制备了以a-IZO为有源层和Cu膜的粘附层的TFT器件。结果表明: 所制备的Cu膜呈多晶结构; 引入a-IZO粘附层增强了Cu膜与衬底的粘附性; 同时,Cu在a-IZO中的扩散得到了抑制。所制备的TFT的迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压分别为12.9 cm2/(V·s)、0.28 V/dec和-0.6 V。
薄膜晶体管 氧化铟锌 铜布线 thin-film transistor indium-zinc-oxide copper metallization 
发光学报
2015, 36(8): 935

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