骆志军 1,2,3刘紫玉 1,2,3王舒虹 1,2,3王端 1,2,3[ ... ]杜炘瑶 1,2,3
1 华中科技大学武汉光电国家研究中心，湖北 武汉 430074
2 华中科技大学信息存储系统教育部重点实验室，湖北 武汉 430074
3 深圳华中科技大学研究院，广东 深圳 518057
集成电路的发展至今已有60余年，对更为强大性能芯片的追求使得芯片制造技术不断迭代升级。长期以来，基于紫外光源投影曝光光刻的芯片制造方法是大规模集成电路制造的唯一选择。然而，随着极紫外光刻机进入产线应用和不断性能优化，芯片制造已经进入了7 nm及以下节点。对于摩尔定律是否可以持续、极紫外光刻能否支撑未来芯片需求等问题，学术界和工业界均未形成一致的意见和具有共识的下一代光刻技术路线。相对基于极紫外投影曝光式的第五代光刻机，本文提出基于双光束超分辨技术的第六代光刻机概念，并从多个角度论述基于双光束超分辨的第六代光刻机技术的优势和潜力，同时也讨论了该技术存在的难点以及可能的解决方法。作为不同于紫外光刻技术路线的一种可替代技术路线，双光束超分辨光刻机技术将极有可能引领未来芯片制造。
激光与光电子学进展
2022, 59(9): 0922028
1 华中科技大学武汉光电国家研究中心，湖北 武汉 430074
2 华中科技大学信息存储系统教育部重点实验室，湖北 武汉 430074
3 深圳华中科技大学研究院，广东 深圳 518057
光学数据存储技术虽然在存储寿命和功耗上具有显著优势，但在应对大数据纵深发展趋势时，目前的一些光存储技术在容量和密度方面面临严峻的挑战。相比于其他光存储技术，双光束超分辨光学数据存储技术在光学大数据存储产业化方面展现了明显的容量和密度优势。本文针对双光束超分辨光存储技术，全面介绍了该技术在光存储技术产业化应用中亟待解决的核心关键问题，并着重讨论了解决这些问题所需要采用的基本方法。
光存储 双光束超分辨光存储 超高密度 超分辨伺服定位 optical data storage dual-beam super-resolution ultra-high high density super-resolution positioning
Author Affiliations
Abstract
1 Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China
2 Key Laboratory of Information Storage Systems, Ministry of Education, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China
3 Shenzhen Research Institute of Huazhong University of Science and Technology, Shenzhen 518057, China
Fractional density of states (FDOS) hinders the accurate measuring of the overall spontaneous emission (SE) control ability of a three-dimensional (3D) photonic crystal (PC) with the current widely used SE decay lifetime measurement systems. Based on analyzing the FDOS property of a 3D PC from theory and simulation, the excitation focal spot position averaged FDOS with a distribution broadening parameter was proposed to accurately reflect the overall SE control ability of the 3D PC. Experimental work was done to confirm that our proposal is effective, which can contribute to comprehensively characterizing the SE control performance of photonic devices with quantified parameters.
160.5298 Photonic crystals Chinese Optics Letters
2019, 17(4): 041601
