使用结构为42°Y-X LiTaO3(600 nm)/SiO2(500 nm)/Si的SOI衬底，通过抑制横向模式等优化设计，研制了单端谐振器和声表面波滤波器。经测试，谐振器的谐振频率为1.5 GHz，品质因数(Q)值高达4 000；滤波器的中心频率为1 370 MHz，插入损耗为-1.2 dB，1 dB带宽为74 MHz，相对带宽达到5.4%，阻带抑制大于40 dB，且温度系数在-55~+85 ℃时优于-9×10-6/℃。该产品具有高频、宽带、低损耗、低温漂、高阻带抑制的特点，其性能指标优异，具有很好的实用性。

通过射频磁控溅射法, 采用高温溅射、低温溅射高温退火两种不同的工艺制备了钛酸锶钡(BST)薄膜。分析两种不同的工艺对BST薄膜的结构、微观形貌及介电性能的影响。采用X线衍射(XRD)分析了样品的微观结构。采用扫描电镜(SEM)和台阶仪分别测试了样品的微观形貌和表面轮廓。通过能谱分析(EDS)得到了薄膜均一性的情况。最后通过电容-电压(C-V)曲线测试得到BST薄膜的介电常数偏压特性。结果表明, 与低温溅射高温退火工艺制备的BST 薄膜相比, 高温溅射制备的BST薄膜结晶度好, 致密性高, 表面光滑, 薄膜成分分布较均一。因此, 采用高温溅射得到的BST薄膜性能较好。在频率300 kHz时, 采用高温溅射制备的BST薄膜介电常数为127.5~82.0, 可调谐率为23.86%~27.9%。

该文介绍了基于大机电耦合系数乐甫波模式的超宽带低损耗声表滤波器的开发，基底为15°YX LiNbO3晶体和铜电极。设计采用修正的耦合模模型进行精确仿真以及模拟退火算法进行谐振器参数的优化。通过假指电极宽度/长度加权来抑制横向模式谐振造成的寄生响应，通过在滤波器表面涂覆黏性膜来有效抑制瑞利波模式造成的寄生凹坑，最终制作出一款中心频率约620 MHz，插损0.94 dB，-1 dB相对带宽14.9%，-3 dB相对带宽18.3%，带外抑制大于40 dB性能较优良的器件。

利用脉冲准分子激光(工作气体XeCl,波长308 nm,脉宽28 ns)在外延YBCOLaAlO3(100)单晶基片上淀积了Pb(Zr0.55Ti0.45)O3铁电薄膜,YBCO薄膜既为生长高取向PZT薄膜提供了晶体匹配条件,同时也为PZT铁电薄膜提供了下电极。讨论了工艺参数对晶相结构和表面形貌的影响。用X射线衍射表征了该多层膜的晶相结构,扫描电镜观察其表面形貌。PZT铁电薄膜的剩余极化为21 μC/cm,矫顽场为65 kV/cm。