为了应对共封装光学(CPO)系统对硅光外置光源提出的高功率、低噪声、低功耗等要求, 设计了一种波长在1310nm附近的AlGaInAs多量子阱(MQW)高功率连续波(CW)分布反馈(DFB)激光器芯片。通过在有源层MQW的下方插入一层InGaAsP远场减小层, 实现光模场向n型包层下移, 减小远场发散角的同时降低了量子阱区的光限制因子和整体的光吸收损耗, 制作的激光器可以实现高斜率效率、非致冷高温高功率工作。测试结果显示, 该激光器在25℃下, 阈值电流为20mA, 斜率效率为0.46W/A, 输出功率为173mW@400mA; 当注入电流为300mA时, 激光器的水平和竖直发散角分别是15.2°和19.1°, 边模抑制比大于55dB, 洛伦兹线宽小于600kHz, 相对强度噪声(RIN)小于-155dB/Hz; 在85℃高温下, 激光器阈值电流为32mA, 输出功率达到112mW@400mA。

提出一种基于AlGaInAs材料的1.55-μm波段的大功率、高速直调分布反馈(DFB)激光器阵列。采用具有良好温度特性和高微分增益的AlGaInAs材料作为量子阱和波导层以实现大功率与高带宽的输出;引入稀释波导结构来减小有源区内部损耗,同时降低远场发散角;采用悬浮光栅并优化耦合系数以实现大注入电流下的单模稳定工作。最终实现了1.5-μm波段5波长的大功率直调激光器阵列,阵列波长间隔约为5 nm,室温连续波(CW)工作时各通道输出光功率均大于100 mW,单通道最大输出光功率为160 mW,500 mA工作电流范围内边模抑制比大于55 dB,小信号调制带宽可达7 GHz,激光器最小线宽为520 kHz,相对强度噪声低于-145 dB/Hz。

综述了目前光电转换效率达到25%的单结非聚光晶体硅基太阳能电池研究的最新进展，阐述发射极钝化-背部局域扩散电池结构、叉指背接触结构、异质结结构和异质结背接触结构太阳能电池高效率的原因，并结合我国硅基光伏产业现状进行了发展趋势预测和技术需求分析。

采用飞秒激光扫描P型单晶硅衬底上的碲单质膜层，实现了碲元素在硅中的N型掺杂，随后利用准分子激光对掺杂样品进行退火处理，制备了碲掺杂硅单晶材料。利用该材料研制出了在室温下具有高响应的碲掺杂硅探测器。在-4 V的反向偏压下，光电响应在1000 nm处达到0.86 A/W，外量子效率大于106.6%；随着反向偏压的增加，光电响应增加，同时截止波长向红外方向拓展，在-8 V偏压下，截止波长达到了1235 nm；在-16 V偏压下，测得响应在1080 nm处最高达到3.27 A/W。

利用单束飞秒激光直接烧蚀技术在钛合金Ti-6Al-4V表面上大面积制备一致的微纳米结构,实现了金属表面光学性质的极大改变。在不同加工参数下获得了3类不同的特征表面结构,如亚微米波纹结构、波纹覆盖的微凸起结构以及多孔结构,并且这3类表面结构特征分别对应着不同的视觉效果,使得钛合金表面分别展现出“彩色”、“蓝色”和“黑色”。初步探讨了不同表面结构特征的形成原因,以及该结构在改变金属表面光学性质中的作用。

通过Nd:YAG激光辐照碳纤维/环氧树脂复合材料过程的高速摄像观测,得到了不同辐照功率密度下烧蚀过程中的主要现象。发现在低功率密度(50 W/cm2)下,主要是表面烧蚀机制,不会发生燃烧现象,在长时间辐照下,由于表层附近出现轻微的聚合物焦化分解,表面层出现粉末状和漂絮状的碳粉缓缓弥散空气中; 在中等功率密度(300 W /cm2)下,体烧蚀机制占主要地位,内层分解气体喷出,在空气中点燃引起表面燃烧,主要燃烧表面聚合物; 在高功率密度(4500 W/cm2)下是以表面烧蚀为主的质量迁移机制,在极短的时间(0.001 s)内表面层被破坏,瞬间燃烧,光斑中心出现喷射式的气化等离子体现象,并出现逐层烧蚀和各向异性热传导引起的烧蚀区形貌变形等现象。