1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，长春 130033
2 中国科学院大学，材料与光电研究中心，北京 100049
3 长春工业大学，长春 130012
AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料，是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料。经过数十年的研究，目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了巨大进展。以此为基础，AlGaN基紫外光电器件制备领域也得到长足发展。在本综述中，主要介绍了高质量AlGaN基材料的MOCVD外延生长方法、掺杂方法以及近年来在紫外发光、紫外探测器件方面取得的进展。
AlGaN基材料 外延生长 掺杂 紫外发光器件 紫外探测 AlGaN based material epitaxy growth doping UV LED UV photodetector
南京信息工程大学物理与光电工程学院, 江苏 南京 210044
采用传统的相关性分析方法,结合光学传输矩阵理论为基础的商用膜系设计软件,对紫外波段(中心波长314 nm)AlGaN基布拉格反射镜的反射光谱进行了一系列模拟,研究了部分结构参数与反射率、中心波长的相关性及相关系数。理论分析结果表明:在保持周期厚度不变的情况下,分层厚度,尤其是AlGaN分层厚度的变化对最终反射率和中心波长的影响最大,且为负相关,并借此优化得到具有较高反射率、较宽探测波段的紫外AlGaN基布拉格反射镜结构参数。相关性分析和优化结果与实际相符,为紫外AlGaN基布拉格反射镜的设计和应用提供了新的思路和研究手段。
光学设计 分布式布拉格反射镜 结构优化 AlGaN基 相关性分析 紫外 激光与光电子学进展
2018, 55(6): 062203
