1 东华大学 材料科学与工程学院, 上海松江大学城 201620
2 东华大学 理学院, 上海松江大学城 201620
3 东华大学 磁约束核聚变教育部研究中心, 上海松江大学城 201620
采用近常压下等离子体增强化学气相沉积的方法制备得到多孔氧化硅薄膜, 并在沉积区域加载偏压对薄膜形貌和性质进行调制。扫描电镜显示偏压条件下沉积的薄膜更加蓬松多孔, 常温下阴极射线谱表明: 增大偏压的占空比, CL谱中发光峰的位置并不改变, 但谱线强度增大。发光峰的位置说明薄膜中的主要成分是Si-O-Si基团, 且该种基团以非桥键的形式存在, 薄膜中还存在少量的Si-H键, 这与红外光谱测试结果一致。X射线衍射结果表明薄膜中的SiO2是非晶态的。
多孔氧化硅薄膜 阴极射线谱 红外光谱 X射线衍射 porous Silicon film cathodoluminescence(CL) fourier transform infrared spectra(FTIR) X ray diffraction(XRD)
西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 陕西
由于在研究SiC晶体缺陷对器件性能的影响的过程中, 表征材料缺陷的常用的方法是破坏性的, 因此寻找一种无损的测试方法对缺陷进行有效的表征显得尤为重要。 基于阴极荧光(CL)的工作原理对4H-SiC同质外延材料的晶体缺陷进行了无损测试研究。 结果发现利用阴极荧光可以观测到晶体内部的堆垛层错、 刃位错和螺位错以及基面位错, 其阴极荧光图中的形貌分别为直角三角形、 点状和短棒状。 因此该方法成为SiC晶体缺陷的无损表征时的一种有效的测试方法。 如果利用该方法对材料的衬底和外延层缺陷分别进行观测就能建立起衬底和外延层缺陷之间的某种联系, 另外对器件工作前后的缺陷进行表征, 建立器件工作前后缺陷之间的联系, 就可以进一步地研究材料缺陷对器件性能影响的问题。Cathodoluminescence
阴极荧光 无损表征 位错及堆垛层错 Cathodoluminescence(CL) 4H-SiC 4H-SiC Nondestructive defect
