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Infrared Spectroscopy and Spectral Analysis
室温350~850 nm ZnSe晶体生长及阴极荧光光谱图谱分析
王仍 焦翠灵 陆液 霍勤 [ ... ]李向阳 
作者单位
摘要
中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海　200083
室温下利用阴极荧光光谱技术对ZnSe晶体进行了350~850 nm的无损全光阴极荧光图谱检测，分析了晶体内部缺陷及夹杂情况，室温下测得ZnSe晶体在400~550 nm的阴极荧光光谱，阴极荧光光谱测得462 nm处的ZnSe本征发光峰。缺陷处测得462 nm的本征发光峰和453 nm的缺陷发光峰，结合能谱分析，ZnSe晶体表面缺陷处的Zn：Se比约为6：4。阴极荧光图谱中缺陷处发光峰主要来自Zn夹杂缺陷发光。
ZnSe晶体 阴极荧光光谱（CL） Zn夹杂 ZnSe crystal Cathodoluminescence （CL） Zn inclusion 
PDF全文 Full Text
红外与毫米波学报
2020, 39(5): 601
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