作者单位
摘要
中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
室温下利用阴极荧光光谱技术对ZnSe晶体进行了350~850 nm的无损全光阴极荧光图谱检测,分析了晶体内部缺陷及夹杂情况,室温下测得ZnSe晶体在400~550 nm的阴极荧光光谱,阴极荧光光谱测得462 nm处的ZnSe本征发光峰。缺陷处测得462 nm的本征发光峰和453 nm的缺陷发光峰,结合能谱分析,ZnSe晶体表面缺陷处的Zn:Se比约为6:4。阴极荧光图谱中缺陷处发光峰主要来自Zn夹杂缺陷发光。
ZnSe晶体 阴极荧光光谱(CL) Zn夹杂 ZnSe crystal Cathodoluminescence (CL) Zn inclusion 
红外与毫米波学报
2020, 39(5): 601
作者单位
摘要
中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
利用Te熔剂方法,在天宫二号飞船上成功地生长了ZnTe:Cu晶体.微重力下生长的晶体质量优于地面生长的晶体,相同实验条件下,天宫二号上生长的晶体尺寸明显大于地面尺寸.通过阴极荧光光谱(CL)无损检测技术测试了5 kV、15 kV、25 kV高压下的ZnTe:Cu 晶体的阴极荧光图谱及光谱.
微重力 ZnTe:Cu晶体 阴极荧光光谱(CL) microgravity ZnTe:Cu crystal cathodoluminescence 
红外与毫米波学报
2018, 37(1): 47

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