1 广东工业大学先进光子技术研究院，广东 广州 510006
2 哈尔滨工程大学物理与光电工程学院，黑龙江 哈尔滨 150001
3 通感融合光子技术教育部重点实验室，广东 广州 510006
4 广东省信息光子技术重点实验室，广东 广州 510006
光频域反射（OFDR）是一种基于光调频连续波原理的分布式光纤测量技术，它利用扫频光干涉信号频率与光纤位置之间的傅里叶变换关系获取沿光纤分布的散射/反射/损耗、相位和偏振等特征信息，可进一步反演光纤感测的温度、应力/应变等外界物理场分布。相比于时域、相干域等分布式测量技术，OFDR的优点是可兼顾高空间分辨率、高测量灵敏度、长测量距离、大动态范围、高速响应等性能。回顾了OFDR的测量原理，综述了分布式测量噪声来源、空间点扩展函数退化机理以及测量误差与噪声抑制等OFDR性能提升关键技术；推导了基于OFDR分布式传感的测量极限，分析了提升传感精度与测量距离的若干方法；概述了国内外OFDR仪器发展现状及其在集成波导器件与保偏光纤等测试、光纤陀螺环内部应力传感等应用范例，最后展望了未来的若干研究方向。
光频域反射技术 测量退化机理 分布式传感极限 光频域反射仪器 高性能应用
华南理工大学 发光材料与器件国家重点实验室，广东 广州 510640
有机发光二极管（OLEDs）因在照明和显示领域的巨大潜在应用备受人们关注。在过去的三十年里，OLED器件的效率和寿命有了很大的提高，但对于商业应用而言提高器件寿命仍然是亟待解决的问题之一。为了进一步提升器件稳定性，则需要深入地研究OLED内部存在的老化机理。本文以小分子和聚合物OLEDs为例，综述了两种器件的老化机制。概括了OLED的一些外在和内在老化机制，并介绍了小分子和聚合物OLEDs老化机理的研究进展。对于小分子OLEDs，有研究提出其老化机理是激子与极化子的相互作用，形成陷阱导致器件老化。另一种理论认为激子与极化子的作用诱导分子聚集，促进界面老化。而对于聚合物OLEDs老化机理是激子与空穴相互作用，诱导空穴陷阱产生，导致了亮度、效率损失和驱动电压上升的现象。同时综述了目前一部分延长器件寿命的方案，为后续开发效率更高、寿命更长的OLED器件提供积极作用。
有机发光二极管 退化机制 器件寿命 稳定性 organic light-emitting diodes degradation mechanism device lifetime stability
太原理工大学环境科学与工程学院，太原 030600
水热合成法制备了不同磁性纳米洋葱碳(MCNOs)负载量(0%、1%、3%、5%)的MCNOs/CdS光催化剂。并通过X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外可见光光谱(UV-Vis)、磁滞回线测定仪(VSM)对其进行表征，探究了MCNOs负载比例对催化剂在可见光下降解RhB性能及机理的影响。结果表明，MCNOs能有效提高CdS的光催化效果，复合3%MCNOs后降解率为96%，与纯CdS相比降解率提高了30%，磁性分析表明，其具有良好的顺磁性并能实现催化剂的有效回收。MCNOs/CdS在可见光下催化降解RhB的一级反应动力学直线有较好的拟合度，表明制备的催化剂有较好的催化活性。
硫化镉 磁性纳米洋葱碳 光催化 降解机理 一级反应动力学 cadmium sulfide magnetic nano onion carbon photocatalysis degradation mechanism first-order reaction kinetic
北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124
对GaN基绿光高压LED分别施加-500、-1 000、-2 000、-3 000、-4 000、-5 000和-6 000 V的反向人体模式静电打击, 每次静电打击后, 测量样品的I-V特性曲线及光通量等参量, 研究静电打击对GaN基高压LED器件性能的影响.结果表明: 当样品经过-500, -1 000、-2 000、-3 000和-4 000 V的静电打击后, 由于LED器件内部产生了缺陷, 发生了软击穿并且反向漏电流明显增加, 但光通量的变化不明显；当经过-5 000 V和-6 000 V的静电打击后, 由于发生了热模式击穿, 温度迅速升高, 在结区形成熔融通道, 使LED的光通量明显减小, 甚至衰减到未打击时的一半；在经受-6 000 V的静电打击后, 正向电压的减小和反向漏电流的增加更加明显, 漏电现象更加明显, 严重影响了器件的性能, 最终使LED样品失效.
高压LED 静电放电 失效机理 光电特性 GaN GaN High-voltage LED Electrostatic discharge Degradation mechanism Optical and electrical characteristics
1 三安光电股份有限公司, 福建 厦门361009
2 华侨大学 工学院, 福建 泉州362021
3 厦门大学物理系 半导体光子学研究中心, 福建 厦门361005
对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温20, 40, 60 mA加速电流下的电应力老化研究, 发现蓝光与绿光样品经过60 mA电流老化424 h后, 其电学性能表现出一定的共性与差异性: 在小测量电流下, 绿光样品的光衰减幅度较蓝光样品大~9%; 而在较大测量电流 (20 mA)下, 两者的光衰减幅度基本相同 (18%)。同时, 蓝绿光样品的正向电学性能随老化时间的变化幅度基本一致, 反映出它们具有相似的退化机制, 绿光样品老化后增多的缺陷大部分体现为简单的漏电行为, 而并非贡献于非辐射复合中心。在此基础上对GaN基外延结构进行了优化, 优化后的LED长期老化的光衰减幅度较参考样品降低了3%。
氮化镓 光衰减 电应力 退化机理 GaN optical degradation electrical stresses degradation mechanism
光电子技术省部共建教育部重点实验室， 北京 100124
对GaN基大功率蓝光发光二极管（LED）分别施加了-200，-400，-600，-800，-1100和-1500 V的反向人体模式静电打击，每次静电打击后，测量样品电学参数和光学参数的变化，研究了静电对LED可靠性的影响，并从理论上分析了相关衰减机理。结果表明，在-200，-400，-600和-800 V的打击后，有明显的软击穿，这是因为在有源区和限制层中产生了缺陷；在-1100 V和-1500 V的打击后，漏电很大并且光通量衰减为打击前的50%，这是因为大的静电使得有源区产生熔融细丝，导致小电流时LED不发光，大电流时光通量明显下降，致使LED失效。同时还提出了一种简单有效的抗静电保护电路。
光学器件 失效机理 静电放电 发光二极管 I-V特性
