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研究与试制
基于端面耦合的InP基激光器/硅光波导混合集成技术研究下载：1031次
王艳 1,2王东辰 2徐鹏霄 2唐光华 2[ ... ]孔月婵 1,2
作者单位
摘要
1 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，南京 210016
2 中国电子科技集团公司第五十五研究所，南京 210016
针对硅光子集成回路缺少实用化光源的问题，提出了一种1.55 μm波段InP基FP激光器芯片、InP基PIN光电探测器芯片与硅光波导芯片集成模块的设计与制备方法。使用CMOS工艺兼容的硅光无源器件制备工艺，设计并制备了倒拉锥型端面耦合器，与锥形透镜光纤耦合效率为36.7 %。采用微组装对准技术将激光器芯片与硅波导芯片耦合、UV固化胶固化后耦合效率为35.8 %，1 dB耦合对准容差横向为1.2 μm，纵向为0.95 μm。
InP基激光器 硅光波导 端面耦合 混合集成 InP-based laser silicon-based optical waveguide edge coupler hybrid integration 
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光电子技术
2020, 40(1): 13
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