硫量子点(SQDs)作为一类新的非金属元素量子点， 不但具有绿色环保无毒的优点， 而且制备简单、 成本较低、 溶解性好、 光致发光(PL)特性稳定， 引起了量子点领域研究人员极大的兴趣， 在纳米电子学、 光学、 催化化学、 生物医学以及传感器等领域都有较好的应用前景。 目前有关硫量子点的研究主要集中在硫量子点的合成及提高光致发光性能方面， 同碳量子点类似， 这类量子点在紫外灯的照射下也可以显示不同颜色的光， 但绿色荧光性能还需进一步提高。 该研究主要采用超声辅助处理液相反应等方法来制备硫量子点， 采用正十二硫醇（1-Dodecanethiol）的长链硫醇分子来提供硫源， 利用一步法高温（240 ℃）加热， 在很短的时间内（2 h）成功合成了蓝色单质硫量子点(SQDs)， 并对合成的量子点进行了荧光光谱（PL）、 吸收光谱（Abs）、 拉曼光谱、 红外吸收光谱、 元素分析和形貌分析的表征。 由实验可以看出， 硫量子点从550 nm就开始逐渐出现吸收， 主要是由于量子点表面缺陷多所致; 在450 nm处出现明显的吸收边， 对应能带吸收; 在372 nm处的吸收， 归结为量子点中存在S2-8所导致的吸收。 在330 nm激发下， 所合成的量子点呈现出明显的蓝光， 主发射峰位于450 nm处， 主半峰宽大约50 nm。 而后分别改变反应温度和反应时间来合成不同量子点， 实验发现随着反应温度的升高和反应时间的延长， 所合成的硫量子点(SQDs)在330 nm激发下均呈现出从蓝色到黄绿色的变化， 荧光光谱（PL）发射峰主峰波长分别位于400、 450和525 nm， 合成的硫量子点(SQDs)的发光量子产率(PLQY)可以达到1.48%。 此外， 我们利用合成的硫量子点(SQDs)首次制备电致发光器件， 结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK/SQDs/ B4PyMPM/LiF/Al， 并测试器件的电致发光特性， 成功获得了硫量子点(SQDs)位于472 nm的蓝光发射， 通过改变电子传输层B4的厚度可以改变S-QLED器件的亮度， 这为实现硫量子点(SQDs)的电致发光具有一定的指导作用。

尝试采用三种方式来平衡载流子的浓度, 以提高量子点发光二极管(QLED)的外量子效率等性能：在正装结构(ITO/HIL/HTL/QD/ETL/EIL/金属阴极)的QLED的发光层和电子传输层中间插入超薄聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)电子阻挡层；在空穴注入和传输层方面, 通过使用更加优化的HIL等来提高空穴注入和传输几率；在QD发光层方面, 用短链配体来置换量子点的长链配体以增加载流子向量子点发光层中的传输效率等。在进行量子点配体交换的同时带来了量子点在正交溶剂中的可溶性优势, 有利于QLED器件的全溶液法制备。

在量子点电致发光二极管(quantum-dot light-emitting diodes, QLEDs)的研究中, 外界空气尤其是水氧一直是影响器件性能的主要因素。 而有研究表明水是导致QLED器件固定电流下亮度提升的原因之一, 因此通过水汽处理的方式对这一效果进行提升有利于进一步优化器件性能。 主要基于水对量子点表面缺陷态的钝化作用来研究水汽处理量子点发光层对电致发光器件整体性能的影响, 并探索最佳处理时间。 首先利用全溶液法制备了一系列QLED器件, 并在制备过程中对量子点膜层进行水汽处理, 通过保持湿度不变改变处理时长的方式改变水汽处理程度。 然后对各个器件进行电致发光光谱的表征, 结果表明经过水汽处理的QLED器件的电致发光光谱相对未处理器件有一定程度的蓝移, 并且随着处理时间的延长蓝移程度增大, 分析发现这是水分子氧化量子点引起表面钝化从而减少带边缺陷态发光的结果。 此外, 通过测量各个器件的电流密度-电压-亮度(J-V-L)曲线对比不同水汽处理时长下器件的电流密度和发光强度大小, 并通过计算得到各器件的电流效率曲线。 结果表明随着处理时间的延长, QLED器件的亮度和电流效率都取得较大幅度的提升, 处理时长为3 min时亮度提升10%, 电流效率提升50%。 最后, 利用寿命测试设备对器件进行老化, 得到不同处理时长器件在相同固定电流密度下亮度随时间变化的曲线。 结果表明各个器件亮度均表现出先提升后下降的过程, 亮度初始提升幅度约为50%～70%, 并且提升到最大值所用时长随处理时间的增大而减小, 说明水汽处理对器件亮度提升更有效。 通过寿命公式计算器件的寿命并进行对比, 发现经水汽处理器件寿命相对未处理器件最高提升了70%。 总之, 水汽处理对QLED器件的性能在一定程度上起优化作用, 这对于QLED器件效率和寿命的提升以及封装工艺的简化是十分有益的。

量子点是一种宽吸收、窄发射、荧光量子产率高的新型荧光材料, 是优秀的显示用发光材料, 研究量子点材料在显示技术上的应用有助于实现显示屏幕的高画质和轻薄化。随着人们对高色域显示的追求, 量子点材料不仅会在液晶显示屏上大量应用, 同时也将是有机发光材料的有力替代者, 未来AMQLED将与AMOLED实现归一化发展。文章详细介绍量子点光致发光以及电致发光在显示技术上的多种应用, 阐述量子点背光、量子点彩膜以及AMQLED等不同量子点显示技术的原理, 并分析不同技术的特点及其发展趋势。

OLED技术发展迅速, 已被广泛地应用在中小尺寸显示之中, 但是在大尺寸显示领域, OLED技术还有一定的局限性。现在唯一的解决方案是白光OLED加彩膜的方式, 但是该工艺方式与器件结构十分复杂, 导致了极低的材料利用率、高难度真空工艺、高能耗、以及高昂的制造成本。通过分析各种潜在的显示技术, 喷墨印刷技术脱颖而出, 该技术具备诸多的优势, 如：极高的材料利用率、非真空工艺、低成本、简单的器件结构, 以及可适用于顶发射器件结构等。

平板显示因具有体积小、重量轻、功耗低、画质好等优点, 已被广泛应用于电子仪表显示、车载显示、数码相机、智能手机、个人电脑、电视产品等领域之中。本文介绍了薄膜晶体管液晶显示(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)、有机发光二极管Organic Light Emitting Diode(OLED)显示、量子点发光二极管Quantum Dot Light Emitting Diode(QLED)显示及微发光二极管(Micro-LED)显示这几种平板显示技术的结构及原理。从结构、材料、性能、应用几方面对这几种平板显示技术进行了比较。最后给出了这几种平板显示技术的最新研究进展。LCD显示经过多年发展, 技术成熟, 成本低廉, 仍然在显示市场占据主流地位。OLED显示技术摆脱了传统LCD的背光源, 开创了自发光显示的未来发展方向。在相当一段时期内, LCD和OLED仍将会共存于市场中, 相互竞争和补充。QLED显示和Micro-LED显示这两种显示技术, 在理论上较OLED显示具有更好的颜色表现、更长的工作寿命等优势, 具有非常广阔的发展前景, 将为未来显示行业提供更多更好的选择。

为研究量子点发光器件结构与性能的关系, 制备了以CdSe/ZnS量子点作为发光层、poly-TPD作为空穴传输层, Alq3作为电子传输层的量子点发光二极管, 对器件结构及性能参数进行了表征, 结果显示器件具有开启电压低、色纯度高等特点。结合测试数据, 对量子点发光二极管进行了器件结构建模, 利用隧穿模型及空间电荷限制电流模型对实验结果进行了分析, 研究了器件中载流子的注入与传输机理。器件测试与仿真结果表明: 各功能层厚度会影响载流子在量子点层的注入平衡, 同时器件中载流子的注入与传输存在一转变电压, 当外加电压低于转变电压时, 器件中载流子的注入主要符合隧穿模型; 当外加电压高于转变电压时, 器件中载流子的注入主要符合空间电荷限制电流模型。研究结果验证了器件结构建模的合理性, 可以利用仿真的方法进行器件结构优化并确定相关参数, 这对器件性能的提高具有指导意义。