应红 1,4温阿利 2,*周岁茹 3海雪 2[ ... ]黄鹤飞 2
作者单位
摘要
1 苏州热工研究院有限公司苏州 215004
2 中国科学院上海应用物理研究所上海 201800
3 西南石油大学 新能源与材料学院成都 610500
4 国家核电厂安全及可靠性工程技术研究中心苏州 215004
镍、铁和钨基合金常被用来作为反应堆的候选结构材料,在反应堆中面临中子辐照的严苛服役环境。本文采用分子动力学方法研究了金属镍、铁、钨三种金属材料的辐照级联过程,获得材料在不同温度(300?500 K)下、不同初级碰撞原子(Primary Knock-on Atom,PKA)能量(<20 keV)沿不同晶格方向(<135>、<122>和<100>)入射的辐照级联损伤过程。结果表明:金属镍和铁的稳态辐照缺陷数相当,当PKA能量较低(<5 keV)时,金属镍的稳态缺陷数比金属铁略少;而当PKA能量较高(>5 keV)时,金属镍的稳态缺陷数逐渐超过铁;在相同辐照条件下,金属钨的稳态辐照缺陷数最少,表现出更为良好的抗辐照性能。通过分析三种金属辐照级联过程中不同阶段的缺陷复合率及缺陷存活率,进一步理解其耐辐照损伤能力的差异。相关计算结果为理解不同金属的辐照性能提供数据支撑,作为金属初级辐照损伤数据集,为更大尺度的速率理论和团簇动力学等模拟材料辐照效应提供微观缺陷结构和参数。
   中子辐照 初级辐照损伤 分子动力学 Nickel Iron Tungsten Neutron irradiation Primary radiation damage Molecular dynamics 
核技术
2023, 46(12): 120301
作者单位
摘要
1 华北水利水电大学 能源与动力工程学院,郑州 450011
2 中国科学技术大学 核科学技术学院,合肥 230026
采用分子动力学方法模拟了金属铜的氦辐照损伤,在原子尺度上观察氦辐照下铜金属微结构的变化过程,分析并对比了单晶铜与多晶铜的微结构和力学性能随氦原子数增加的变化情况。结果表明,随原子数增加,单晶铜的缺陷对数目呈规律性地先增加后减少,且峰值不断增高;多晶铜的缺陷对数目呈上升趋势,但波动规律不明显。拉伸性能测试显示,氦辐照会导致铜的屈服强度降低,当氦原子分数达0.54%时,单晶铜和多晶铜的屈服强度分别下降46.94%和49.2%。
 辐照损伤 分子动力学模拟  helium radiation damage molecular dynamics simulation copper 
强激光与粒子束
2023, 35(7): 076001
作者单位
摘要
1 云南师范大学 能源与环境科学学院, 昆明 650500
2 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
对基于GaN的DC/DC变换器进行了总剂量、单粒子及耦合辐照效应研究,讨论了DC/DC变换器在特定负载及电压条件下,输出电压、输出电流、输出效率随不同辐照条件的变化。试验结果表明,使用GaN MOSFET开关管的DC/DC变换器在总剂量、单粒子及耦合辐照条件下,均表现出了优异的抗辐照性能,即输出电压、输出电流、输出效率等性能在三种辐照条件下均没有发生明显的退化。该DC/DC变换器实现了抗总剂量辐照能力大于1 kGy(Si)和抗单粒子LET≥75 MeV·cm2·mg-1,表明使用基于GaN的DC/DC变换器未来可广泛应用于航空、航天等供电系统领域。
DC/DC变换器 总剂量辐照 单粒子辐照 辐射损伤效应 DC/DC converter total dose irradiation single event effect radiation damage effect 
微电子学
2022, 52(6): 1055
作者单位
摘要
1 西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024
2 湘潭大学 材料科学与工程学院, 湖南 湘潭 411105
3 西安高科技研究所, 西安 710024
CMOS图像传感器(CIS)工作在空间辐射或核辐射环境中遭受的辐照损伤问题备受关注。对CIS辐照损伤效应进行仿真模拟研究有助于深入揭示辐照损伤机理, 进而开展抗辐射加固设计, 有效提升CIS抗辐照能力。文章通过梳理国内外开展CIS辐照损伤效应仿真模拟研究方面的进展情况, 结合课题组已开展的电子元器件辐照效应仿真模拟和实验研究基础, 从CIS器件建模、时序驱动电路建模、辐照损伤效应建模、仿真模拟结果校验等方面探讨了CIS辐照损伤效应的仿真模拟方法, 分析总结了当前CIS辐照效应仿真模拟研究中亟待解决的关键技术问题。
CMOS图像传感器 辐照损伤 总剂量效应 位移效应 CIS radiation damage total ionizing dose effects displacement effect 
半导体光电
2022, 43(5): 839
欧阳琴 1,2王艳菲 1,2徐剑 1,2李寅生 1[ ... ]黄庆 1,2,*
作者单位
摘要
1 1.中国科学院 宁波材料技术与工程研究所, 宁波 315201
2 2.先进能源科学与技术广东省实验室, 惠州 516000
3 3.中国科学院 近代物理研究所, 兰州 730000
碳化硅纤维增强碳化硅(SiCf/SiC)复合材料具有低中子毒性、耐中子辐照和耐高温氧化等特性, 成为先进核能系统重要的候选结构材料。近年来, 国内外学术界和工业界针对核用SiCf/SiC复合材料开展了大量研究工作, 取得了一系列重要的研究进展。针对SiCf/SiC复合材料面向核用所关注的重点方向, 如核用SiC纤维、纤维/基体界面相、复合材料制备工艺、数值仿真、腐蚀行为和表面防护、连接技术以及辐照损伤等方面, 本文进行了综述和讨论, 并针对核用要求指出了SiCf/SiC复合材料存在的主要问题和可能的解决思路, 希望对该材料的进一步研发和最终应用有所裨益。
复合材料 结构材料 核材料 碳化硅 辐照损伤 综述 composite material structural material nuclear material silicon carbide radiation damage review 
无机材料学报
2022, 37(8): 821
作者单位
摘要
南京航空航天大学材料科学与技术学院南京 230026
固体材料的辐射缺陷是核科学领域重要的研究方向。近年来,半导体材料、低维材料和高比表面多孔材料中缺陷的精准合成与调控正成为辐射技术应用的新方向之一。辐射导致的材料缺陷工程在改善其电磁学、催化、吸附及力学性能等诸多方面有着广阔的应用前景,势必在材料学、电子器件、催化转化与环境领域中发挥重要作用。为此,本文对辐射法制备及改性纳米材料过程中缺陷结构形成及调控的研究现状进行综述,并对该研究方向的发展趋势进行展望。
辐射致缺陷 纳米材料 二维材料 多孔材料 辐射损伤 Radiation-induced defects Nanomaterials 2D materials Porous materials Radiation damage 
辐射研究与辐射工艺学报
2022, 40(5): 050101
作者单位
摘要
1 西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024
2 湘潭大学 材料科学与工程学院, 湖南 湘潭 411105
3 西安高科技研究所, 西安 710025
4 中国电子科技集团公司第十八研究所, 天津 300384
5 上海空间电源研究所, 上海 200245
文章首先重点介绍了国内外开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子、质子及其他辐射粒子或射线辐照实验的研究进展,然后从辐照损伤效应的仿真模拟研究、抗辐射加固技术、损伤预估方法等方面综述了GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应及加固技术的研究进展,最后梳理了当前GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应研究中亟待解决的关键技术问题,为深入开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应实验方法标准制定、损伤机理分析、在轨寿命预估及抗辐射加固技术研究提供了理论指导和实验技术支持。
GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池 辐照损伤 位移效应 抗辐射加固 电子辐照 质子辐照 GaInP/GaAs/Ge triplejunction solar cells radiation damage displacement effect radiation hardening electron radiation proton radiation 
半导体光电
2022, 43(3): 490
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团有限公司, 北京 100846
2 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
对深亚微米NMOS和PMOS管进行了60Co γ总剂量辐射实验。实验结果表明, PMOS管在转移特性、噪声、匹配特性方面比NMOS管的抗辐照能力更强。对NMOS管和PMOS管的辐照损伤机理进行了理论分析。分析结果表明, 不同的衬底类型导致了PMOS管和NMOS管的辐照效应的差异。基于实验与分析结果, 提出了一些深亚微米模拟IC的抗辐照设计方案。
辐照损伤 总剂量 噪声 匹配特性 抗辐射设计 radiation damage total dose noise matching characteristics radiation-harden design 
微电子学
2021, 51(1): 121
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060
2 模拟集成电路国家重点实验室,重庆 400060
全面综述了先进金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的1/f噪声研究进展。界面态、器件结构、材料缺陷、量子效应等诸多因素均会影响1/f噪声。随着工艺尺寸的持续缩小和高k介质材料的应用,以及热载流子效应、辐照损伤等因素的影响,MOSFET的1/f噪声起源问题一直是学术界具有较大分歧和争议的课题。只有澄清了1/f噪声的真正物理起源,才能有效通过工艺加以改善,支撑设计应用。
1/f噪声 高k介质 热载流子 辐照损伤 1/f noise MOSFET MOSFET high k dielectric hot-carrier radiation damage 
微电子学
2021, 51(3): 390
李欣 1赵强 2,*郝建红 1董志伟 2[ ... ]张芳 2
作者单位
摘要
1 华北电力大学 电气与电子工程学院,北京 102206
2 北京应用物理与计算数学研究所,北京 100094
通过SRIM程序的快速损伤计算与全级联计算两种常用模式,对单元素靶材料进行粒子辐照模拟计算,分别利用基于损伤能量间接计算移位数的NRT位移模型方法和直接通过输出文件读取的方法获得移位数,并对数据进行相应的处理及分析对比,结果表明:对于单元素靶来说,在SRIM快速损伤和全级联两种计算模式下,利用NRT位移模型数值计算得到的移位数基本一致,都可以用于进一步计算得到可靠的位移损伤剂量(dpa);而通过SRIM两种模式下的输出文件数据直接获得的移位数则有两倍左右的差异,要想得到相对可靠的dpa相关参数,需要根据不同辐照情况选取合适的计算模式。
辐照损伤 移位 损伤能 NRT模型 快速损伤 全级联 radiation damage displacement damage energy NRT model quick damage full cascade 
强激光与粒子束
2020, 32(8): 084007

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