作者单位
摘要
1 厦门理工学院 光电与通信工程学院, 福建 厦门 361024
2 厦门理工学院 福建省光电技术与器件重点实验室, 福建 厦门 361024
通过还原气氛下的高温固相反应制备了Sr1.994-xSiO4∶0.006Eu2+,xDy3+(x=0.001~0.006)荧光粉。利用X射线衍射仪(XRD)和荧光分光光度计分析了Sr1.994-xSiO4∶0.006Eu2+,xDy3+荧光粉的晶体结构和发光性能, 通过光致发光(PL)谱和光激励发光(PSL)谱表明所有的发光中心都来源于Eu2+离子。在320 nm和365 nm激发下, 可以观察到以470 nm为中心的蓝光发射和530 nm为中心的绿光发射。热释光测试证明, Sr1.994-xSiO4∶0.006Eu2+,xDy3+材料的俘获陷阱深, 室温下受热扰动影响小, 在800 nm红外光激发下, 被俘获的电子释放, 在发光中心中与空穴复合发光。在254 nm紫外线照射0.5 h后, 用980 nm红外激光器照射, 可以观察到绿色的光激励发光, 结果表明Sr1.994-xSiO4∶0.006Eu2+,xDy3+具有光存储特性。
高温固相法 光致发光 光激励发光 光存储 high temperature solid-state reaction Sr2SiO4 Sr2SiO4 photoluminescence photostimulated luminescence optical storage 
发光学报
2021, 42(11): 1774
作者单位
摘要
1 厦门理工学院材料科学与工程学院, 福建省功能材料及应用重点实验室, 福建 厦门 361024
2 南开大学环境科学与工程学院, 天津 300071
3 中海石油(中国)有限公司曹妃甸作业公司, 天津 300459
4 中国科学院城市环境研究所, 福建 厦门 361024
采用高温固相法制备一系列Sr2SiO4∶Eu0.01, Dyx(x=0.000 1, 0.002 5, 0.005, 0.01)应力发光材料, 研究了不同掺杂浓度下, Sr2SiO4∶Eu, Dy的光致发光和应力发光性质。 研究结果表明在掺杂Dy3+浓度较低时, 样品同时存在α和β两种相, 当掺杂Dy3+浓度增加时, 则出现β到α的相转变。 由于Eu2+占据Sr2+格位的不同, 样品在蓝光区486 nm(Sr1)和绿光区530 nm(Sr2)有两个峰存在。 而应力发光光谱与余辉光谱类似, 均只呈现出530 nm的发光, 这说明二者的发光来源于占据Sr2格位的Eu2+, 都是通过改变陷阱的浓度实现发光性能的变化, 但Sr2SiO4∶Eu, Dy的应力发光强度的变化还与其结构改变有关。 同时, Sr2SiO4∶Eu, Dy应力发光强度与所施加的力之间呈良好的线性关系, 并且可用眼睛观察到明显的黄色应力发光, 这为应力发光传感器准确检测物体所受应力提供依据。 结合余辉、 热释以及应力发光性质, 推测Sr2SiO4∶Eu, Dy的应力发光机制应是压电产生的电致发光。
长余辉发光 应力发光材料 格位选择 Sr2SiO4∶Eu Sr2SiO4∶Eu Dy Dy Persistent luminescence Mechanoluminescent materials Site selective spectrum 
光谱学与光谱分析
2018, 38(7): 2032
作者单位
摘要
1 福州大学 材料科学与工程学院,福建 福州350108
2 福州大学 生态环境材料先进技术重点实验室,福建 福州350108
以MCM-41为硅源,采用共沉淀法制备Sr2-xSiO4∶xCe3+(x=0.01~0.09,步长为0.01)和Sr1.95-ySiO4∶ 0.05Ce3+,yLi+(y= 0.01~0.07,步长为0.02)蓝紫色荧光粉。Sr2-xSiO4∶xCe3+的发射光谱是一个不对称的宽带,最大峰值在410 nm左右。Ce3+的最佳掺杂量为5%。Ce3+离子倾向于占据九配位的Sr(Ⅱ)格位。共掺电荷补偿剂Li+可以有效地提高Sr1.95SiO4∶ 0.05Ce3+的发光强度,其中Li+离子对1 100 ℃煅烧样品的发光强度的提高程度比1 000 ℃的更高,Li+的最佳掺杂量为y=0.05。
荧光粉 发光 phosphor Sr2SiO4∶Ce3+ Sr2SiO4∶Ce3+ Li+ Li+ luminescence 
发光学报
2016, 37(2): 131
作者单位
摘要
Department of Electronic Engineering, I-Shou University, Kaohsiung Taiwan, China
white organic light emitting diodes(WOLEDs) color conversion layer(CCL) Sr2SiO4∶Eu color stability 
发光学报
2013, 34(6): 681
作者单位
摘要
1 长春师范学院 物理学院, 吉林 长春130032
2 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033
通过在Sr2SiO4∶Eu2+荧光粉中加入MgO,提高了Sr2SiO4∶Eu2+荧光粉的蓝光和黄光发射带的发射强度,研究了MgO浓度对Sr2SiO4∶Eu2+荧光粉发光强度的影响。当Mg与Si的量比在1.0附近时,荧光粉的亮度较高,且发光颜色为白色。通过调节Sr2SiO4∶yEu2+,MgO荧光粉中Eu2+的掺杂浓度,可以调节荧光粉的发光颜色。用Sr2SiO4∶Eu2+,MgO和400 nm的InGaN管芯制备的白光LED,色坐标优于α′-Sr2SiO4∶Eu2+和β-Sr2SiO4∶Eu2+荧光粉制成的白光LED,显色指数和流明效率高于β-Sr2SiO4∶Eu2+和α′-Sr2SiO4∶Eu2+制成的白光LED。
荧光粉 发光 白光LED Sr2SiO4∶Eu2+ Sr2SO4∶Eu2+ phosphor luminescence white light emitting diode 
发光学报
2012, 33(4): 389
作者单位
摘要
广东工业大学物理与光电工程学院, 广东 广州510006
采用高温固相法在弱还原的气氛下合成了Sr2SiO4高亮度的黄色长余辉材料。 通过X射线衍射(XRD)分析发现所制得的样品属于α′-Sr2SiO4斜方晶系结构; 样品的光致发光特性表明, 在320 nm激发光的照射下, 出现峰位为490 nm的宽带发射峰。 样品余辉特性显示: 样品的余辉衰减曲线符合双指数衰减。 在温度293~598 K内样品有4个热释光峰, 峰值温度在346, 420, 457和552 K附近。 不同的等待时间热释光曲线表明: 在衰减过程中, 热释光峰位置发生移动, 显示材料中存在缺陷能带; 同时不同深度的陷阱能级衰减规律不同, 表明了陷阱能级之间存在电子转移现象。
长余辉 热释光 高温固相法 陷阱能级 Long afterglow Thermoluminescence Sr2SiO4 Sr2SiO4 High temperature solid state reaction meth Traps 
光谱学与光谱分析
2011, 31(12): 3223
作者单位
摘要
1 暨南大学物理学系 思源实验室, 广东 广州 510632
2 暨南大学化学系 纳米化学研究所, 广东 广州 510632
3 暨南大学 电子工程系, 广东 广州 510632
利用快速燃烧合成方法制备了Sr2SiO4∶Eu3+纳米材料。用X射线粉末衍射、 扫描电镜、稳态激发与发射光谱、高分辨发射光谱、位置选择激发光谱和发光衰减等测量对材料的结构、形貌和光致发光性质进行了研究。分析结果表明,通过二甲酰肼的快速燃烧,在800 ℃条件下反应3 min即可制得颗粒尺寸在80~100 nm左右的α-Sr2SiO4∶Eu3+纳米材料,在紫外线激发下,所合成的样品具有良好的发光性能。由于纳米材料中表面格位的存在,Eu3+的局域环境变得十分复杂,其发光寿命与体材料相比有明显的下降,并且发光衰减呈现由单指数衰减向双指数衰减转变的趋势。
发光 燃烧法 纳米材料 luminescence combustion method Sr2SiO4 Sr2SiO4 nano materials 
发光学报
2011, 32(6): 535
作者单位
摘要
1 暨南大学化学系, 广东 广州510632
2 暨南大学纳米化学研究所, 广东 广州510632
用高温固相法制备了Sr2SiO4∶Eu2+,Nd3+发光材料, 研究了样品中Eu2+对Nd3+的近红外发光敏化。 发现Sr2SiO4基质中Eu2+的存在可以大大增强Nd3+的特征近红外发光。 通过对样品中不同位置Eu2+荧光激发和发射光谱、 荧光寿命以及Nd3+荧光光谱的研究, 对Eu2+向Nd3+能量传递的机理进行了分析。 在Sr2SiO4中, 处于激发态的Eu2+(Ⅱ)可以通过非辐射能量传递过程有效传能给Nd3+, 从而直接敏化Nd3+的近红外发光。 而处于激发态的Eu2+(Ⅰ)可首先传能给Eu2+(Ⅱ), 再进一步通过能量传递敏化Nd3+的近红外发光。
高温固相法 近红外发光 能量传递 Solid state method Sr2SiO4∶Eu2+ Sr2SiO4∶Eu2+ Nd3+ Nd3+ Near-infrared luminescence Energy transfer 
光谱学与光谱分析
2011, 31(1): 43

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