1 中国工程物理研究院 激光聚变研究中心, 四川 绵阳 621900
2 西华师范大学 物理与电子信息学院, 四川 南充 637002
采用射频磁控溅射技术，在不同溅射功率条件下制备了碳化硼薄膜，并用X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)对碳化硼薄膜的组分进行了定量表征，分析了功率变化对碳化硼组分的影响。利用纳米压入仪通过连续刚度法(CSM)对碳化硼薄膜的硬度和模量等力学性能进行了分析。研究表明：随着功率的增大，硼与碳更易结合形成B—C键，在功率增大到250 W时，B—C键明显增多；在250 W时，硼与碳的原子分数比出现了最大值5.66；碳化硼薄膜的硬度与模量都随功率的增大呈现出先增大后减小的趋势，且在250 W时均出现了最大值，分别为28.22 GPa和314.62 GPa。
碳化硼薄膜 X射线光电子能谱 力学性能 磁控溅射 溅射功率 boron carbide thin films Xray photoelectron spectroscopy mechanical properties magnetron sputtering sputtering power
中国工程物理研究院 激光聚变研究中心, 等离子体物理重点实验室, 四川 绵阳 621900
运用密度泛函理论计算了氧（O）在Nb3Ge表面的吸附，结果表明O倾向于吸附在Nb原子周围，并与Nb的电子轨道发生了明显的交叠，O与Nb形成兼具共价键和离子键特性的化学键。利用X射线光电子能谱对自然氧化的Nb3Ge表面进行成分分析发现：氧化层中只存在Nb的氧化物，理论计算结果与实验结果一致。由于O容易与Nb结合，最外层的Nb因逐渐氧化而耗尽，在接触势的驱使下，内部的Nb原子与最外层的Ge原子交换，最终使得Nb与O的形成氧化物在Nb3Ge表面聚集，在该氧化层下面是由于Nb的耗尽而形成的Ge聚集层。
氧化 吸附 X射线光电子能谱 Nb3Ge Nb3Ge oxidation adsorption Xray photoelectron spectroscopy
