采用射频磁控溅射技术，在不同溅射功率条件下制备了碳化硼薄膜，并用X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)对碳化硼薄膜的组分进行了定量表征，分析了功率变化对碳化硼组分的影响。利用纳米压入仪通过连续刚度法(CSM)对碳化硼薄膜的硬度和模量等力学性能进行了分析。研究表明：随着功率的增大，硼与碳更易结合形成B—C键，在功率增大到250 W时，B—C键明显增多；在250 W时，硼与碳的原子分数比出现了最大值5.66；碳化硼薄膜的硬度与模量都随功率的增大呈现出先增大后减小的趋势，且在250 W时均出现了最大值，分别为28.22 GPa和314.62 GPa。

研究了在硫酸甲醇体系中进行电解抛光制备状态方程(EOS)靶用钨薄膜。分析了钨的阳极极化曲线,对薄膜的表面形貌、晶粒取向、密度和厚度一致性进行了测试和分析,并制备出均方根粗糙度小于50 nm、厚度一致性好于99%、能够保持原材料密度的钨箔膜,满足激光驱动材料高温高压状态方程研究的标准靶材料的需求,证明电解抛光是制备低表面粗糙度、块材密度的EOS所用金属箔材的有效手段。

采用直流磁控溅射方法制备膜厚为50, 100, 200, 400, 600 nm的Nb薄膜,对薄膜的沉积速率、表面形貌、晶体结构进行了研究,并对其应力和择优取向进行了详细的分析.原子力显微镜图像显示Nb膜表面光滑、致密,均方根粗糙度达到0.1 nm量级.X射线小角衍射给出了薄膜的晶格结构、晶粒尺寸和应力情况.分析表明薄膜为多晶体心立方结构(bcc),在(110)晶面方向存在明显的择优取向,且随着薄膜厚度增大而增强.Nb膜应力先随薄膜厚度增大而增大,在200 nm时达到最大值(为1.015 1 GPa),后随薄膜厚度的增大有所减小.

采用晶场参量的叠加模型，建立了结构参数与光谱之间的定量关系；利用完全对角化方法，由光谱确定Ni₂CdCl₆·12H₂O晶体中[Ni(H₂O)₆]²⁺络离子在温度为14K时的局域结构参数，较好地解释了Ni₂CdCl₆·12H₂O晶体中Ni²⁺离子的局域结构和光学吸收谱；研究结果发现，Ni₂CdCl₆·12H₂O晶体中络离子[Ni(H₂O)₆]²⁺的键长为R≈0．2009nm，键角为θ≈55．1°；所得光谱的理论结果与实验发现很好符合。

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上制备了NaF薄膜.在激光重复频率2 Hz,能量密度3 J/cm2,本底真空度5×10-5 Pa的条件下,研究衬底温度对薄膜沉积速率及结构的影响.台阶仪分析表明:薄膜的沉积速率随衬底温度增加呈指数函数增加,算出NaF薄膜的反应激活能为48.67 kJ/mol.原子力显微镜分析表明:薄膜致密而光滑,均方根粗糙度为0.553 nm.扫描电镜截面微观形貌分析表明:薄膜呈现柱状结构.X射线衍射分析表明:NaF薄膜为面心立方晶体结构,并具有显著的择优取向;当衬底温度约为400 ℃时,平均晶粒尺寸最大(129.6 nm),晶格微应变最小(0.225%).

由于硝酸钒锌二安替比林晶体[Zn(antipyrine)2(NO3)2:VO2+]中配体O2-的自旋轨道耦合参量ζ0p≈150 cm-1与中心过渡族3d1离子V4+的ζ0d≈248 cm-1相差不太大,故配体的自旋轨道耦合参量ζ0p对电子顺磁共振(EPR)谱和光吸收谱的贡献必须考虑。采用双自旋轨道耦合参量模型和相关的晶体场能级公式,计算了Zn(antipyrine)2(NO3)2:VO2+晶体的EPR谱和光吸收谱,所得理论结果与实验发现很好符合；确定了该晶体的局域对称结构沿C4轴的四角畸变约为0.45 nm；计算发现,较大的κ值说明VO2+中未配对的s电子对超精细结构常数有较大的贡献。并对上述这些结果的合理性进行了讨论。