氮化镓功率器件凭借优异性能被抗辐照应用领域重点关注，为探究氮化镓功率器件抗γ射线辐照损伤能力，明确其辐射效应退化机制，针对增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）器件开展不同偏置（开态、关态和零偏置）条件下的γ射线辐照与不同温度的退火试验，分析器件电学性能同偏置条件和退火环境之间的响应规律。结果表明：随着γ射线辐照剂量的增加，器件阈值电压负漂，跨导峰值、饱和漏电流和反向栅泄漏电流逐渐增加，且在开态偏置条件下器件的电学特性退化更加严重；此外，高温环境下退火会导致器件的电学性能恢复更加明显。分析认为γ射线辐照剂量越高，产生的辐照缺陷越多，同时栅极偏压会降低辐照引发的电子-空穴对的初始复合率，逃脱初始复合的空穴数量增多，进一步增加了缺陷电荷的浓度；而高温环境会导致器件发生隧穿退火或热激发退火，有助于器件性能恢复。氮化镓功率器件的辐照损伤过程及机理研究，为其空间环境应用的评估验证提供了数据支撑。