1 运城学院物理与电子工程系，运城 044000
2 天津大学理学院，天津 300072
用剂量为1.72×1019 n/cm2和1.67×1020 n/cm2的中子对掺氮6H-SiC单晶进行辐照，利用紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱等方法研究了辐照引起的晶格损伤及随退火温度的回复过程。结果表明：中子辐照产生的大量缺陷使SiC的光吸收明显增加；光学带隙能随辐照剂量的增加而降低，这与禁带中引入的局域态缺陷能级有关。光吸收边出现强烈的连续吸收可能归因于辐照产生的不同类型缺陷簇或局部非晶区域的光散射。对两个剂量辐照的样品进行室温到1 600 ℃的等时退火，发现两个剂量辐照产生的晶格损伤所需的退火回复温度不同，但退火回复过程都呈现出以800 ℃为转折点的两个相同阶段。
中子辐照 缺陷 晶格损伤 退火回复 吸收光谱 6H-SiC 6H-SiC neutron-irradiation defect lattice damage annealing recovery absorption spectra
1 北京有色金属研究总院 北京国晶辉红外光学科技有限公司,北京 100088
2 天津大学 理学院 物理系,天津 300072
为了获得高质量的KMgF3晶体,采用提拉法,在CF4气氛中进行了晶体生长。对生长过程中的挥发物和结晶余料进行了物相分析,并测试了晶体红外透射光谱。由测试结果可知,晶体生长过程中的主要挥发物为KF,析晶率较大时的结晶余料中出现MgF2相,红外光谱中未出现OH-的吸收,但COH的吸收比较明显。结果表明,CF4气氛有利于KMgF3晶体生长过程中H2O等氧源的消除,生长过程中有效地抑制KF的挥发并适当地补充KF,是KMgF3晶体生长中不可忽略的问题。
材料 晶体生长 提拉法 红外光谱 CF4气氛 KMgF3晶体 materials crystal growth Czochralski method infrared spectra CF4 atmosphere KMgF3 crystal
报道了在Ar与CF4混合气氛中成功地生成出高质量的Nd∶LiYF4晶体,并比较了在单一Ar气氛和Ar与CF4混合气氛中生长的LiYF4晶体的差别.X射线衍射表明,在单一Ar气氛中产生的不纯物质主要是氟氧化合物,Ar与CF4混合气氛中,此种不纯物质能够被有效地消除.
LiYF4晶体 晶体生长 生长气氛 氟氧化合物
1 天津大学理学院物理系,天津,300072
2 华北光电技术研究所, 北京,100015
3 河北建筑科技学院电子系,邯郸,056038
报道了在CF4气氛中生长的掺Ce3+的LiM(M=Ca,Sr)A1F6晶体和掺Ce3+的LiSr0.8 Ca0.2AlF6混晶,以及Ce3+在这些晶体中的紫外吸收光谱及有效分凝系数.Ce3+:LiSr0.8Ca0.2AlF6在240～280 nm波长范围内有连续展宽的吸收带,它的有效分凝系数为0.037.Ce3+的吸收带展宽是由于Ce3+替代晶体中二价离子位引起的,表明Ce3+在Colquiriite结构的晶体中替代的是二价位.
Colquiriite结构晶体 紫外吸收光谱 有效分凝系数
报道了掺铥的重金属-过渡金属氟化物Tm:BaY2F8粉体的制备及其频率上转换发光,在650 nm的红光激发下,样品可产生频率丰富的上转换发射峰,其中包括波长为417 nm,430 nm的紫光发射峰以及波长为458 nm,470 nm的蓝光发射峰。得到了Tm3+离子在B2Y2F8中的能级图,解释了其上转换激发与发射的机理。
粉体 频率上转换 发射峰
1 天津大学物理系,天津 300072
2 天津大学分析中心,天津 300072
使用日产Hitachi X-650型扫描电镜实现了LiNbO3晶体的周期性电畴反转,电子束扫描是在晶体的负畴面实现的.晶体表面上的扫描轨迹是断续的,晶体表面的畴反转宽度小于晶体内部的畴反转宽度。对不同的扫描速率和扫描电流得到了不同的畴反转宽度和深度。对畴反转的机理也进行了探讨。
电子束扫描 畴反转光栅 LiNbO3晶体 扫描速率 线电荷密度
1 天津大学物理系, 天津 300072
2 京都产业大学工学部,日本 京都 603
首次报道了掺铒铌酸锂晶体的频率上转换发光效应和该晶体的全吸收谱、绿光发射上能级4Ｓ3/2态的荧光寿命，以及其与温度变化的关系等，并讨论了上转换发光的机制及实现其激光运转的可能性。
Er:LiNbO3晶体 光谱 上转换发光
本文把纯LiF晶体中色心激光宽带输出的转换效率提高到11%，得到了心激光的宽带输出与温度的变化曲线。实现了色心激光的波长从0.86～1.02 μm的可调谐输出，并对泵浦光作用下LiF晶体中的各种色心动力学机制进行了分析。
色心 可调谐 退电离 二步电离
报告了掺氧LiF晶体中F2+心稳定性的实验研究,讨论了F2+心的衰减及其受氧稳定的机理。实验结果表明,LiF晶体中F2+心的衰减过程为二级反应。掺氧LiF与未掺氧者相比,F2+心衰减反应的激活能大约提高0.2电子伏,而速率常数则显著变小。最后给出了这两种晶体中的F2+心的结合能之差及电子亲和能之差的理论估计值。
