为了提高Sm³⁺在CaMgSiO₄中的发光性能，采用高温固相法制备了Li⁺作为电荷补偿剂掺入CaMgSiO₄∶Sm³⁺的硅酸盐发光材料。实验结果表明，所制备的CaMgSiO₄∶x Sm³⁺，y Li⁺样品均为纯相，Sm³⁺和Li⁺的掺入并没有导致晶体结构的改变。在400 nm近紫外波长激发下，CaMgSiO₄∶Sm³⁺的发射峰分别位于562、576、601、650 nm处，这是由Sm³⁺的4f-4f跃迁引起的。此外，从共掺杂样品的光谱中可以看出Li⁺的掺入明显提高了Sm³⁺的发光强度和发射峰积分面积。荧光粉的色坐标在红色区域（0.605，0.394）且色纯度高达93.3%。当温度升到150 ℃时，发射峰的峰值强度保持在室温时的73.5%，这表明该荧光粉具有较好的热稳定性。以上结果表明，该荧光粉在固体照明领域具有潜在的应用前景。

通过将罗丹明6G 掺入用光引发剂2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉苯基)丁酮和季戊四醇三丙烯酸酯混合而成的光刻胶中，基于飞秒激光双光子微加工技术制备出高为39 μm，底面边长为20 μm，周期为60 μm的3×3正六棱锥微阵列。用波长为532 nm 的半导体抽运激光照射样品，发现掺有罗丹明6G 的微阵列样品与纯光刻胶制备的微阵列样品相比，在550 nm波长处多出一个明显的发射峰。与罗丹明6G的吸收光谱相比，可知该发射峰为微结构中掺入罗丹明6G 而产生的发射峰。测试了该样品的衍射图案，由衍射光斑间距推算出来的周期与实际值相差2.3%。

在N2气氛下, 以Si3N4、SrCO3和Eu2O3为原料, 采用自还原高温固相合成法制备了Sr0.97Si2N2O2∶0.03Eu2+荧光粉。在近紫外光激发下, 该荧光粉发出明亮的黄绿光, 发射峰位于533 nm处。采用XRD分析了不同助熔剂(NH4F, NH4Cl, Li2CO3, H3BO3)条件下的荧光粉晶相发育情况。通过SEM和荧光光谱研究了不同助熔剂对Sr0.97Si2N2O2∶0.03Eu2+晶粒形貌及发光性能的影响。结果表明, 随着助熔剂的添加, 荧光粉团聚现象缓解、结晶度增强、分散性提高, 且不同程度地提高了荧光粉的发光强度, 其中以NH4Cl的添加效果最佳。

采用高温固相法在还原气氛下合成了Sr5-x(PO4)2SiO4∶xEu2+磷灰石型荧光粉。通过XRD、PL、SEM对样品的晶体结构、激发和发射光谱以及形貌进行了表征。在Eu2+浓度较低时, Eu2+占据不同的晶体格位而形成两个发光中心, 发射光谱具有双发射峰; 随着掺杂浓度的增加, Eu2+之间的能量传递使黄光区域的发射峰强度逐步增强, 并在x＝0.075时达到最大值。发射光谱红移可能是Eu2+受晶场强度和能量传递共同作用的结果。考察了该材料在白光LED中的封装应用性能, 其双发射峰有助于提升白光LED光源的显色性。

为了发展一种新型测温方法的热敏磷光涂层, 对Mg4FGeO6∶Mn的双峰发光光谱的热敏特性进行了研究。 建立了具有加热平台的光谱测量系统, 测量了Mg4FGeO6∶Mn在室温到800 K温度下的发光光谱。 测量了Mg4FGeO6∶Mn的吸收光谱, 采用晶格微扰理论分析了其双峰发射峰的形成机制。 4F′2和4F″2向4A2基态的跃迁, 导致在630和660 nm附近出现两个发射峰。 由于4F′2和4F″2的总粒子数布局满足热力学平衡, 随着温度的升高, 两个发射峰呈现了不同的变化趋势, 630 nm附近的发射峰强度下降较缓, 而660 nm附近的发射峰强度下降较快。 这一变化趋势为采用双峰发射峰强度比测温方法提供了依据。 拟合了两个发射峰处的光强比与温度的关系曲线, 获得了Mg4FGeO6∶Mn采用双峰发射峰强度比方法测温范围为室温到800 K。

通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备，在c-Al2O3衬底上生长本征和 Cu掺杂ZnO(ZnO∶Cu)薄膜。X射线衍射(XRD)谱观察到未掺杂的ZnO和ZnO∶Cu样品都呈现出较好的c轴择优取向生长。X射线光电子能谱(XPS)表明Cu已掺入到ZnO薄膜中。利用光致发光(PL)测试对本征ZnO和ZnO∶Cu进行室温和低温PL测试，在ZnO∶Cu样品的低温PL谱中观察到一个强度很强、范围很广的蓝紫光发射峰(Blue-violet发射峰，BV发射峰)，范围在2.8~3.3 eV之间，又进一步通过变温PL测试发现随着温度的升高，BV发射峰峰位发生红移，且80 K时BV发射峰高能边出现自由电子向受主能级(eA0)的跃迁发光，并计算了Cu受主离化能。

报道了掺铥的重金属-过渡金属氟化物Tm:BaY₂F₈粉体的制备及其频率上转换发光,在650 nm的红光激发下,样品可产生频率丰富的上转换发射峰,其中包括波长为417 nm,430 nm的紫光发射峰以及波长为458 nm,470 nm的蓝光发射峰。得到了Tm³⁺离子在B₂Y2F₈中的能级图,解释了其上转换激发与发射的机理。