1 太原学院机电与车辆工程系, 太原 030032
2 大连理工大学, 辽宁省微纳米技术及系统重点实验室, 大连 116024
采用磁控溅射工艺, 在Pt/Ti底电极上沉积锆钛酸铅(PZT)薄膜, 研究了原位退火温度与底电极沉积温度对溅射PZT薄膜结晶取向、微观结构、介电性能、铁电性能及疲劳性能的影响。X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明, 随着电极沉积温度升高, Pt晶粒尺寸增大, 随着退火温度升高, PZT薄膜致密性变差。对室温制备的Pt/Ti底电极进行200 ℃原位退火30 min后, 易于促进PZT薄膜沿(100)择优取向, 而高温制备或经高温退火处理的Pt/Ti底电极更有利于PZT薄膜的(111)晶向生长。电学性能分析表明, 室温制备的Pt/Ti底电极在经200 ℃原位退火30 min后, 其PZT薄膜介电性能最优, 同时展现较高的剩余极化强度和最小的矫顽场强, 经历108次极化翻转后, 初始极化下降仅为11％。
Pt/Ti底电极 压电薄膜 原位退火 择优取向 介电性能 抗疲劳特性 Pt/Ti bottom electrode piezoelectric film in-situ annealing preferred orientation dielectric property fatigue characteristic
针对网状斑点 (Emboss Mura)不良现象进行系统研究, 确定不良发生的机理, 并找到有效的改善措施。首先通过半导体参数测试设备和改变电压、频率等方法测试Mura电学特性, 然后采用扫描电子显微镜、椭偏仪对栅极绝缘层进行测量, 最后采用扫描电子显微镜、X射线电子能谱对玻璃基板背面Mura形貌和成分进行测试, 对Mura产生的原因提出合理的解释, 并给出有效的改善措施。结果表明, Emboss Mura是干刻反应腔下部电极的阵列凸起划伤玻璃基板背面和凸起碎屑粘附在划伤处形成的。通过更改电极凸起的形状、结构、材质以及下部电极清洁方式、优化电极温度、增加PI膜厚等方式可以极大降低不良的发生率。
网状斑点不良 下部电极 划伤 Emboss Mura bottom electrode scratch
1 中原工学院 电子信息学院, 郑州 450007
2 辽宁大学 物理学院, 沈阳 110036
3 东华大学 信息科学与技术学院, 上海 201620
4 郑州航空工业管理学院 数理系, 郑州 450015
在阴极玻璃面板上研发了一种新型的一体式冷阴极.印刷的银浆被烧结后用于形成银底电极.制备了薄层底电极浆料, 其中含有大量碳纳米管.将薄层底电极浆料印刷在银底电极表面, 然后再将普通碳纳米管浆料制作在烘烤的薄层底电极浆料上.利用高纯度氩气作为保护气体, 在烧结炉中对这两种浆料同时进行烧结.烧结后的薄层底电极将和银底电极相互融合在一起, 碳纳米管层则覆盖于薄层底电极的表面.同一阴极像素中制作了两个碳纳米管发射极.备用碳纳米管发射极的存在, 有利于延长整体显示器的使用寿命.利用薄层底电极作为碳纳米管层和银底电极之间的中间层, 能够有效改善碳纳米管的粘贴性能, 同时增强二者之间的可靠欧姆接触.利用碳纳米管作为阴极制作了一体式冷阴极场发射显示器.该显示器具有良好的发光图像质量以及更好的场发射特性.与普通碳纳米管阴极场发射显示器相比, 一体式冷阴极场发射显示器能够将开启场强从2.11 V/μm减小到1.68 V/μm; 将最大场发射电流从905 μA提高到1 866.2 μA; 数值为367 μA场发射电流的电流波动不超过4.5%.该一体式冷阴极场发射显示器已经以稳定的发光亮度而连续运行10余天.
冷阴极 银底电极 烧结 丝网印刷 场致发射 Cold cathode Silver bottom electrode Sintering Screen-printing Field emission
