针对网状斑点 (Emboss Mura)不良现象进行系统研究, 确定不良发生的机理, 并找到有效的改善措施。首先通过半导体参数测试设备和改变电压、频率等方法测试Mura电学特性, 然后采用扫描电子显微镜、椭偏仪对栅极绝缘层进行测量, 最后采用扫描电子显微镜、X射线电子能谱对玻璃基板背面Mura形貌和成分进行测试, 对Mura产生的原因提出合理的解释, 并给出有效的改善措施。结果表明, Emboss Mura是干刻反应腔下部电极的阵列凸起划伤玻璃基板背面和凸起碎屑粘附在划伤处形成的。通过更改电极凸起的形状、结构、材质以及下部电极清洁方式、优化电极温度、增加PI膜厚等方式可以极大降低不良的发生率。
网状斑点不良 下部电极 划伤 Emboss Mura bottom electrode scratch
合肥鑫晟光电科技有限公司, 安徽 合肥 230011
通过不同感应耦合等离子体刻蚀条件下进行的玻璃基板发生光刻胶变性的位置, 研究光刻胶变性与下部电极结构的相关性。研究结果表明: 下部电极的Dam区对玻璃基板的冷却效果较差, 导致该区域的玻璃基板上光刻胶容易产生变性。经过对下部电极Dam区的改造可以有效增大玻璃基板的冷却范围, 改善光刻胶变性残留问题。
感应耦合等离子体 干法刻蚀 下部电极 光刻胶 湿法去胶 inductively coupled plasma dry etch low electrode photoresist wet strip