TFT-LCD的摩擦工艺中, 容易产生摩擦Mura、L0 条形不均、摩擦划伤等不良。分析及验证发现: 摩擦Mura的发生与摩擦强度较弱, 聚酰亚胺膜配向力不足引起像素漏光相关。选择摩擦强度好的尼龙布, 并控制摩擦布寿命在100张基板以下, 可以有效控制不良的发生。通过工艺调整加强摩擦强度时需考虑Zara发生情况, 选择摩擦Mura和Zara总体发生较低的摩擦强度是必要的。采用摩擦辊垂直基板短边设计, 可一定程度控制摩擦Mura的发生; 长条型像素设计可从源头防止漏光产生。产品设计时避免显示区延伸区域大块金属的干涉可一定程度防止条形不均发生, 以信号层作为绑定IC引线较之开关层做引线对条形不均改善有更好的效果。棉布的棉籽剪裁、摩擦设备机台的及时有效清洁、基板来料的超声波清洗是防止摩擦划伤发生的有效保证。

针对网状斑点 (Emboss Mura)不良现象进行系统研究, 确定不良发生的机理, 并找到有效的改善措施。首先通过半导体参数测试设备和改变电压、频率等方法测试Mura电学特性, 然后采用扫描电子显微镜、椭偏仪对栅极绝缘层进行测量, 最后采用扫描电子显微镜、X射线电子能谱对玻璃基板背面Mura形貌和成分进行测试, 对Mura产生的原因提出合理的解释, 并给出有效的改善措施。结果表明, Emboss Mura是干刻反应腔下部电极的阵列凸起划伤玻璃基板背面和凸起碎屑粘附在划伤处形成的。通过更改电极凸起的形状、结构、材质以及下部电极清洁方式、优化电极温度、增加PI膜厚等方式可以极大降低不良的发生率。

针对传统磨料的固定磨料抛光布容易在加工表面产生划伤，以及材料去除效率低等问题，提出了采用微米级球形聚集氧化硅粒子的固定磨料抛光布。将纳米聚集氧化硅粒子添加到抛光布中,用pH为10.5的碱性水溶液替代传统的抛光液，进行了Si基板的的抛光加工试验。与传统采用不规则形状天然氧化硅及球形熔融氧化硅固定磨料抛光布进行了比较，得到了纳米聚集氧化硅的固定磨料抛光布的加工特性，并讨论了它的基本参数对加工特性的影响。实验得到了与现行纳米抛光液(重量百分比为3%,pH=10.5)相同的材料去除率，加工表面粗糙度降低了约30%。与传统不规则形状天然氧化硅磨料抛光布相比，纳米聚集氧化硅抛光布的磨料为球形，弹性系数仅为其1.4%~60%，因此不易划伤抛光表面。与熔融氧化硅抛光布相比，纳米聚集氧化硅抛光布在pH为10.5的碱性水溶液中磨料表面可吸附的［-OH］离子提高了25倍，使得液相化学去除作用增大至去除率的70%以上。另外，随着纳米聚集氧化硅的微米粒径的增大，固定磨料抛光布的纳米级加工表面粗糙度几乎不变，但对前加工面表面粗糙度的去除能力明显增大，表现出微米粒径效应。