电容耦合和TFT漏电引起的垂直串扰问题在高分辨率液晶显示器产品上变得较为突出, 大大影响了产品良率。业内通常采用VESA 2.0标准利用窗口画面测试串扰水平, 但目前还没有一种预测串扰水平的定量分析方法。本文从垂直串扰形成机理出发, 提出了一种可预测垂直串扰水平的定量分析方法, 可预测出不同模式产品垂直串扰最严重的画面, 有利于我们更好地研究和分析产品的品质。首先, 通过分析垂直串扰机理, 得到了垂直串扰现象与源电压差之间的定性对应关系。然后, 通过分析V-T曲线, 得到窗口画面下的亮度变化与源电压差之间的定量关系|ΔL|=kα|ΔV|。通过PCB板上的输出节点可以得到各灰阶对应的正负源电压, 依据灰阶画面对应的源电压找到V-T曲线上对应的点可求出对应的斜率k值, 依据漏电机理可求出对应的源电压差值|ΔV|, |ΔV|变化不大时可认为漏电电压降系数α为定值, 故可计算出不同灰阶背景画面在窗口画面影响下的亮度变化值|ΔL|, 将|ΔL|除以V-T曲线上对应灰阶的亮度值即可得到串扰值, 通过比较不同窗口画面的串扰计算值即可得出串扰最严重的画面。最后, 采用VESA 2.0标准方法测试不同窗口画面下的垂直串扰水平, 与此方法的计算结果进行比较, 串扰变化趋势吻合较好, TN和ADS模式下的线性相关系数分别达0.98和0.93以上。结果表明, 此方法可以用来定量地研究产品垂直串扰的问题。

对于THz 频段的检测器，当器件的尺寸远远小于检测信号的波长时，可以获得快速的响应速度，但耦合信号的能力会下降。为了提高检测器的信号耦合能力，需要借助天线收集信号。因此天线的性能直接决定着器件的响应频段及灵敏度等参数指标。六氮五铌(Nb_{5N6) 微测热辐射计太赫兹检测器采用平面集成天线的方式来耦合信号，平面天线通过微加工技术，经过光刻、剥离等过程，集成在基片上，Nb5N6 置于平面天线的中心。针对0.32 THz 的中心频率，尝试采用电容耦合信号的设计方法，提高了Nb5N6 的信号耦合能力。}