液晶面板上配单层触控传感器(Single Layer On Cell, SLOC)产品在完成传感器光刻工艺后, 在宏观检查机上观察, 基板的彩膜倒角侧存在大面积的不良(Mura), 测试不良区域与正常区域的关键尺寸(CD)值, 不良区域的CD值明显偏大, 部分点位超出管控指标;另外, SLOC产品在生产工艺后段模组段缺陷不良高发, 缺陷不良平均发生率为2.82%, 缺陷不良高发位置与不良和CD偏大区域基本一致, 有强相关性。通过旋转涂布等测试以及实际流片观察, 锁定造成不良的设备为显影机。由于基板从显影1(DEV#1)进入显影2(DEV#2)时基板流片末端药液干燥导致显影不良, 进而引起不良, 本文称其为干燥不良。为解决此问题, 对基板由DEV#1向DEV#2流片的速度进行软体修改, 干燥不良有轻微改善, 但未消除; 通过在DEV#1腔室内增加二次液切的方式, 消除了SLOC产品传感器光刻生产时的干燥不良。SLOC产品的CD均一性由3.3%提升到1.9%, 缺陷不良率从改善前的平均2.82%降低到平均0.27%。

通过对TFT-LCD行业用显影液浓度(质量分数)C1和其中酸根离子浓度(质量分数)C2与半色调光刻胶膜厚(Half Tone Thickness, THK)的影响研究, 提出了改善THK波动的方法。首先, 固定光刻工艺生产条件, 采用单因素实验法分别对C1和C2对THK的影响进行试验, 研究表明, C1、C2的变化都会影响显影液的显影能力, 导致THK的变化, 且都呈线性负相关。其次, 根据C1和C2变化对THK的影响程度, 将二者之间建立公式对应关系, 通过系统对C1进行调整, 改善C2波动的影响。最终将关系公式导入系统, 稳定了显影能力, 有效改善了THK的波动, 沟道相关不良发生率从0.20%以上降低到0.03%以下。