随着磁约束聚变实验装置对中性束注入器的输出束流强度与脉冲时间的要求越来越高，开展高功率大面积射频离子源的研究迫在眉睫。为了实现大面积、高密度均匀等离子体放电，基于多驱动射频离子源的设计是当前的发展趋势，而阻抗匹配网络是射频功率源将最大功率输送至线圈并耦合至等离子体的关键，故对其结构设计和调谐特性的研究是不可或缺的。基于前期在单驱动射频离子源的研究基础上，结合双驱动射频离子源的放电需求，开展了双驱动阻抗匹配网络优化结构的设计与分析，通过实验中对匹配网络的调谐，成功实现了140 kW高功率和25 kW/1000 s长脉冲的稳定运行。随后在等离子体稳定放电的基础上研究了两个驱动器之间的功率分配均匀性问题，实验结果表明了该匹配网络的优化设计合理可行，上下驱动器的射频功率分配基本均匀。

基于移动产业处理器接口（Mobile Industry Processor Interface，MIPI）协议提出了一种应用于显示驱动芯片数据接口的物理层电路。针对数据传输对速度要求越来越高的情况以及失调电压会使输出信号的占空比偏离50%，进而影响高速采样准确率的问题，采用多级放大器形式实现了高速通道设计，并利用可编程电流源进行失调电压的自适应校准，减小了失调电压在传输中带来的误差。电路使用SMIC 110 nm CMOS工艺进行设计。仿真结果表明，自适应校准可以使-30 mV~35 mV的输入失调电压降低到-1 mV~1.2 mV，单通道传输速率达到1.5 Gbps，实现了高速、高精度的数据传输效果。

针对Micro-LED器件微型化带来的尺寸效应、高速巨量转移、发光器件与驱动背板的高精度键合等问题，本文通过金属有机化学气相沉积和原子层沉积技术制备了一种垂直结构的交流驱动无电学接触型GaN基Micro-LED器件，研究了其光电特性。结果表明，器件电路模型可等效为RC电路，随着交流驱动信号频率的增大，器件等效阻抗先快速减小后趋于稳定。当频率固定时，器件I-V特性呈线性关系，器件等效阻抗稳定，器件亮度随着驱动电压增大而增强。当驱动电压固定时，器件在16~22 MHz频率范围内达到最大亮度，且亮度随频率增加呈现先上升后下降趋势；此外，由于回路呈电容特性，无电学接触型Micro-LED器件存在发光延迟效应和电流超前效应。对比传统Micro-LED器件，无电学接触型Micro-LED器件与外部电极无电学接触，在交流驱动条件下实现内部载流子复合发光，有望解决Micro-LED芯片微型化带来的技术难题。