作者单位
摘要
1 国防科技大学 前沿交叉学科学院,长沙 410073
2 脉冲功率激光技术国家重点实验室,长沙 410073
研究了一种改进型螺旋发生器,以解决传统结构螺旋发生器在匝数较多时输出电压波形第二峰值大于第一峰值和输入开关的峰值电流及其电流上升率较大的问题,并进行了数值仿真和实验验证,仿真结果与实验结果基本吻合。通过电磁场分析波传输过程发现:改进型结构增加的一圈会造成额外的反射,使各层间电压同向叠加的时刻发生改变,从而降低了后续更高峰值的振荡。最终研制了一台改进型螺旋发生器,在15 pF的高压电容负载上可产生第一峰值51 kV、前沿50 ns的输出电压波形,整个发生器体积小于0.5 L。之后该改进型螺旋发生器将结合半导体开关实现高压纳秒脉冲触发器的全固态设计。
螺旋发生器 不同结构 电磁场模拟 波传输过程 电压叠加 spiral generator different structure electromagnetic field simulation wave transmission process voltage superposition 
强激光与粒子束
2023, 35(10): 105001
作者单位
摘要
四川大学 电子信息学院,成都 610065
基于同轴传输线结构设计了两种不同喷嘴结构的大气压微波等离子体射流(MW-APPJ)装置,其工作频率2.45 GHz,工作气体为氩气,分别研究了两种不同喷嘴结构对等离子体放电特性产生的影响。仿真结果表明,MW-APPJ在气体喷嘴处会产生高强度的电场,经过优化结构,实现在频率2.45 GHz下,喷嘴处的场强满足氩气电离的击穿场强阈值要求。同时,利用多物理场耦合仿真软件对装置的气流分布进行了稳态模拟,并通过实验对比分析了两种喷嘴结构下大气压氩等离子体射流的基本特性。实验结果表明,不同的喷嘴结构会影响等离子体装置的反射系数随输入功率的变化规律,但并不影响等离子体射流长度随输入功率的变化规律和反射功率随进气流量的变化规律;同时,在大气压下,稳态微波等离子体射流呈现出类金属性,等离子体中的电子只能在很薄的区域中吸收微波能量,因而造成微波的反射功率较大。
微波放电 大气压等离子体射流 电磁场仿真 稳态层流仿真 放电特性 microwave discharge atmospheric pressure plasma jet electromagnetic field simulation steady-state laminar flow simulation discharge characteristics 
强激光与粒子束
2022, 34(4): 049001
作者单位
摘要
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 应用光学国家重点实验室, 吉林 长春 130033
在点衍射干涉仪中小孔掩模的主要作用是通过衍射产生接近理想的球面波用于干涉测量,其直径、圆度及三维形貌对测量精度有决定性影响。介绍了小孔掩模的结构与作用原理,对小孔衍射电磁场仿真技术进行了分类比较。对国内外现有小孔掩模加工技术的发展进行了归纳总结,阐述了聚焦离子束刻蚀、电子束曝光等加工技术的加工原理、加工精度及技术特点,指出了掩模对准精度对测量重复性的影响。分析了各种检测方法及存在的主要技术问题,并对小孔三维形貌的测量技术进行了展望。
光学器件 小孔掩模 电磁场仿真 波像差 
激光与光电子学进展
2013, 50(3): 030004
曹宇婷 1,2,*王向朝 1,2步扬 1,2刘晓雷 1,2
作者单位
摘要
1 中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室, 上海 201800
2 中国科学院研究生院, 北京 100049
极紫外(EUV)投影光刻掩模在斜入射光照明条件下,掩模成像图形位置和成像图形特征尺寸(CD)都将随入射光方向变化,即存在掩模阴影效应。基于一个EUV掩模衍射简化模型实现了掩模阴影效应的理论分析和补偿,得到了掩模(物方)最佳焦面位置和掩模图形尺寸校正量的计算公式。掩模(物方)焦面位置位于多层膜等效面上减小了图形位置偏移;基于理论公式对掩模图形尺寸进行校正,以目标CD为22 nm的线条图形为例,入射光方向变化时成像图形尺寸偏差小于0.3 nm,但当目标CD继续减小时理论公式误差增大,需进一步考虑掩模斜入射时整个成像光瞳内的能量损失和补偿。
光学制造 极紫外投影光刻 掩模 阴影效应 严格电磁场仿真 
光学学报
2012, 32(8): 0805001
曹宇婷 1,2,*王向朝 1步扬 1,2
作者单位
摘要
1 中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室, 上海 201800
2 中国科学院研究生院, 北京 100049
采用一个极紫外投影光刻掩模衍射简化模型实现了三维接触孔掩模衍射场的快速仿真计算。基于该模型,得到了接触孔掩模衍射场分布的解析表达式,并对光刻成像时的图形位置偏移现象进行了解释和分析。简化模型中,掩模包括吸收层和多层膜两部分结构,吸收层的透射利用薄掩模修正模型进行计算,多层膜的反射近似为镜面反射。以周期44 nm、特征尺寸分别为16 nm和22 nm的方形接触孔为例,入射光方向发生变化时,该简化模型与严格仿真相比,图形特征尺寸误差小于0.4 nm,计算速度提高了近100倍。此外,考虑到多层膜镜面位置对图形位置偏移量的影响,得到了图形位置偏移量的计算公式,其计算结果也与严格仿真相一致。
光栅衍射 极紫外投影光刻 薄掩模模型 严格电磁场仿真 
光学学报
2012, 32(7): 0705001

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