强激光与粒子束
2023, 35(10): 105001
强激光与粒子束
2022, 34(4): 049001
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 应用光学国家重点实验室, 吉林 长春 130033
在点衍射干涉仪中小孔掩模的主要作用是通过衍射产生接近理想的球面波用于干涉测量,其直径、圆度及三维形貌对测量精度有决定性影响。介绍了小孔掩模的结构与作用原理,对小孔衍射电磁场仿真技术进行了分类比较。对国内外现有小孔掩模加工技术的发展进行了归纳总结,阐述了聚焦离子束刻蚀、电子束曝光等加工技术的加工原理、加工精度及技术特点,指出了掩模对准精度对测量重复性的影响。分析了各种检测方法及存在的主要技术问题,并对小孔三维形貌的测量技术进行了展望。
光学器件 小孔掩模 电磁场仿真 波像差 激光与光电子学进展
2013, 50(3): 030004
1 中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室, 上海 201800
2 中国科学院研究生院, 北京 100049
极紫外(EUV)投影光刻掩模在斜入射光照明条件下,掩模成像图形位置和成像图形特征尺寸(CD)都将随入射光方向变化,即存在掩模阴影效应。基于一个EUV掩模衍射简化模型实现了掩模阴影效应的理论分析和补偿,得到了掩模(物方)最佳焦面位置和掩模图形尺寸校正量的计算公式。掩模(物方)焦面位置位于多层膜等效面上减小了图形位置偏移;基于理论公式对掩模图形尺寸进行校正,以目标CD为22 nm的线条图形为例,入射光方向变化时成像图形尺寸偏差小于0.3 nm,但当目标CD继续减小时理论公式误差增大,需进一步考虑掩模斜入射时整个成像光瞳内的能量损失和补偿。
光学制造 极紫外投影光刻 掩模 阴影效应 严格电磁场仿真
1 中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室, 上海 201800
2 中国科学院研究生院, 北京 100049
采用一个极紫外投影光刻掩模衍射简化模型实现了三维接触孔掩模衍射场的快速仿真计算。基于该模型,得到了接触孔掩模衍射场分布的解析表达式,并对光刻成像时的图形位置偏移现象进行了解释和分析。简化模型中,掩模包括吸收层和多层膜两部分结构,吸收层的透射利用薄掩模修正模型进行计算,多层膜的反射近似为镜面反射。以周期44 nm、特征尺寸分别为16 nm和22 nm的方形接触孔为例,入射光方向发生变化时,该简化模型与严格仿真相比,图形特征尺寸误差小于0.4 nm,计算速度提高了近100倍。此外,考虑到多层膜镜面位置对图形位置偏移量的影响,得到了图形位置偏移量的计算公式,其计算结果也与严格仿真相一致。
光栅衍射 极紫外投影光刻 薄掩模模型 严格电磁场仿真