1 新加坡南洋理工大学 电子与电气工程学院, 新加坡 639798
2 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
3 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083
4 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室, 吉林 长春 130033
5 新加坡南洋理工大学 淡马锡实验室, 新加坡 637553
展示了一种低阈值(~131 A/cm2)2 μm InGaSb/AlGaAsSb单量子阱(Single Quantum Well, SQW)激光器, 并对该激光器的理想因子n进行了研究。激光器的总体理想因子n由中央pn结的理想因子n和n型GaSb衬底与n型金属之间形成的整流结的理想因子n两部分组成。当温度从20 ℃升高到80 ℃时, 激光器的总体理想因子n从4.0降低至3.3。该结果与所使用的理论模型以及独立的GaSb材料整流结(pn结、GaSb/金属结等)理想因子n的数值是相吻合的。
半导体激光器 理想因子n 单量子阱 semiconductor laser ideality factor n single quantum well 红外与激光工程
2018, 47(5): 0503001
北京大学 纳米器件物理与化学教育部重点实验室, 北京100871
用p型有机半导体材料酞菁铜作为阴极缓冲层制作了器件结构为氧化铟锡/酞菁锌/碳六十/酞菁铜/铝的有机小分子太阳能电池, 对器件进行电学测量发现酞菁铜缓冲层的厚度对器件的开路电压有明显影响.基于半导体器件物理分析了光照下测量得到的电流-电压曲线, 由拟合结果得到的器件参数表明高理想因子导致了器件开路电压升高, 其原因为器件的输运特性不只受酞菁锌与碳六十形成的p-n结影响, 还与酞菁铜缓冲层与铝电极形成的肖特基接触有关.研究表明在有机太阳能电池器件中引入一个合适的缓冲层/阴极肖特基结可以提高器件的开路电压.
缓冲层 缓冲层/阴极结 开路电压 理想因子 buffer layer buffer/cathode junction open circuit voltage ideality factor 红外与毫米波学报
2015, 34(4): 0396
重庆大学 光电工程学院 传感器及仪器研究中心, 重庆 400044
针对InGaN/GaN多量子阱LED, 分析了占据能态高于势垒的载流子和低于势垒的载流子参与的电流输运机制, 从而推导出对应能态电流输运机制下的电流-电压关系, 以及理想因子与温度的变化规律。实验结果证实, 在低注入强度下, 由材料缺陷引入的深能级辅助隧穿输运机制占主导, 电流电压特性符合相应的推导结果, 随着注入强度的增大, 参与扩散-复合输运机制的载流子逐渐增加, 温度对输运机制的影响逐渐增大。
发光二极管 陷阱辅助隧穿电流 电特性 理想因子 light-emitting diode(LED) trap-assisted tunneling current electrical characteristics ideality factor
1 天津大学 电信学院，天津300072
2 天津职业技术师范大学 电子学院，天津300222
采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜，俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂，制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜，制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/n-Si肖特基结样品。在300～600 ℃范围内，对样品做快热退火。对不同退火温度下的样品做I-V-T测试。研究发现，测试温度升高，不同退火温度样品的肖特基势垒高度(SBH)的差别变小，500 ℃退火的样品，表观SBH最小。总体上，SBH随测试温度的升高而变大，理想因子的变化趋势则与之相反。基于SBH的不均匀分布建模，对实验结果给出了较为合理的解释。
变温I-V测试 肖特基结 快热退火 理想因子 肖特基势垒高度的不均匀性 variable temperature I-V testing Schottky junction rapid thermal annealing ideality factor inhomogeneity of Schottky barrier height
1 重庆大学 光电工程学院, 重庆 400044
2 重庆大学 光电技术及系统教育部重点实验室, 重庆 400044
采用光激励与电激励的方式对AlGaInP与InGaN/GaN基LED的电学特性进行了表征, 并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异。探讨了影响LED理想因子的因素, 确定理想因子的适宜注入强度范围。研究结果表明: 结温与注入强度是影响LED理想因子的重要因素; 对于特定类型的发光二极管, 空间电荷区起主导作用时对应的注入强度范围内能够获得反映器件性能的LED理想因子。LED的理想因子与光激励或者电激励方式无关, 因而光激励能够代替电激励对LED电学特性及理想因子进行非接触检测。
理想因子 发光二极管(LED) 光激励 电激励 结温 ideality factor light-emitting diode optical excitation electrical excitation junction temperature
College of Electronic Information & Control Engineering, Beijing University of Technology, Beijing 100022, CHN
