1 中国科学院半导体研究所 光电子器件国家工程研究中心, 北京 100083
2 中国科学院大学 材料科学与光电技术学院, 北京 100049
在红光半导体激光器芯片上采用GaAs介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区由一个9 nm厚的GaInP量子阱和两个350 nm厚的AlGaInP量子垒构成, 利用MOCVD方法在芯片表面生长GaAs介质膜。在950 ℃的情况下进行不同时长不同GaAs层厚度的高温快速热退火诱发量子阱混杂。通过光致发光光谱分析样品混杂之后的波长蓝移情况和光谱半峰全宽变化规律。当退火时间达到 120 s时, 样品获得 53.4 nm 的最大波长蓝移; 在1 min退火时间下获得 18 nm 的最小光谱半峰全宽。
蓝移 无杂质空位扩散 量子阱混杂 扩散 blue shift impurity-free vacancy diffusion quantum well intermixing diffusion
1 西安理工大学自动化与信息工程学院, 陕西 西安 710048
2 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室，陕西 西安 710119
3 中国科学院半导体研究所, 北京 100083
在红光半导体激光器芯片上采用SiO2 介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区是由两个6 nm 厚的GaInP 量子阱和三个8 nm 厚的AlGaInP 量子垒构成，利用电子束蒸发方法在芯片表面生长了250 nm SiO2介质膜。在不同温度下进行时长60 s 的高温快速退火诱发量子阱混杂。通过光致发光光谱分析样品混杂之后的波长蓝移情况和光谱半峰全宽变化规律。当退火温度达到900℃时，样品获得29.5 nm 的最大波长蓝移；在750℃的退火温度下获得43 nm 的最小光谱半峰全宽。
激光器 蓝移 无杂质空位扩散 量子阱混杂 激光与光电子学进展
2015, 52(2): 021602
