用化学共沉淀法一次煅烧工艺制备Ce, Pr∶GAGG粉体, 利用XRD、SEM、荧光光谱仪等对样品表面形貌及发光性能进行表征, 研究煅烧温度、沉淀剂引入草酸根对粉体发光性能的影响。结果表明, 前驱体经950 ℃煅烧3 h后全部转变为GAGG相, Pr3+、Ce3+共掺未改变基质的物相结构; 沉淀剂引入草酸铵后, 粉体发射光谱积分强度由333 573 a.u上升至420 894 a.u, 沉淀剂引入草酸根能提高粉体的发光性能。荧光寿命测试表明, 在Ce∶GAGG中掺入Pr3+可使Ce3+的荧光寿命降低, 衰减时间为35.43 ns。

搭建了RLC放电回路, 研究了不同氩气气压下铝丝电爆炸二次放电特性。结果表明, 随着气压的变化, 电爆炸二次放电电压曲线呈U形。为了阐明氩气和铝蒸气在二次放电过程中的作用, 利用光谱仪和高速分幅相机分别研究了二次放电等离子体的自辐射光谱特性和空间分布特性, 发现: 在低气压下氩气会参与放电, 放电通道在铝蒸气表面; 高气压下主要是铝蒸气放电, 氩气基本不参与放电过程, 放电通道在铝蒸气内部。

采用沉淀法制备In/ZnO纳米粉, 通过XRD和光致发光谱等分析手段, 详细讨论了不同In掺杂浓度、 煅烧温度、 反应物配比, 以及沉淀剂种类对In/ZnO纳米粉微结构及光致发光特性的影响。 实验结果表明, 随着In掺杂浓度的增加, In/ZnO纳米粉的结晶性能和紫外发光强度因杂质缺陷的增多而逐渐减弱; 同时观察到该发光峰位从389 nm红移至419 nm, 这可能是由于施主能级和导带的合并, 以及杂质能级的潜在波动因素的影响所致。 当煅烧温度从500 ℃升至600 ℃时, 晶粒尺寸逐渐变大, 紫外发射强度也因结晶性的增强而逐渐增大; 当温度继续升高至800 ℃时, 结晶性的进一步提高导致紫外发射强度增强, 同时由于温度的升高使得ZnO晶格中离子动能变大而更易于产生氧空位, 从而导致525 nm绿光发射也大大增强; 当温度升高至1 000 ℃时, 紫外发射强度由于过多的氧空位而被极大抑制, 此时525 nm绿光发射成为了发光主成份。 随着反应物NH4HCO3/Zn(NO3)2摩尔比的增加, 由于反应速率的加快, 使得In/ZnO纳米粉晶粒变小, 紫外发光强度下降。 沉淀剂种类(NH4HCO3或NaOH)对前驱体粉末的结晶性能有着显著的影响, 但对最终纳米粉产物的发光性能影响不大。

采用溶胶-凝胶法制备Er∶YbGG纳米粉体，利用XRD、TG-DTA、IR和SEM等测试手段分析了Er∶YbGG纳米粉体的物相结构和光谱性能。 结果表明：Er∶YbGG纳米粉体属于立方晶系，空间群为Ia-3d，晶格参数a=1.216 2 nm。在980 nm激光激发下，Er∶YbGG纳米粉体在1 533 nm附近获得了较强的发射，其较高的发射强度得益于Yb3+-Er3+离子之间的能量传递。

采用向太阳电池光阳极中复合窄禁带半导体材料的方法来提高光阳极的光响应范围, 以改善染料敏化太阳能电池的性能。用柠檬酸凝胶法制备CoAl2O4纳米粉体, 并通过X-射线衍射光谱分析煅烧温度对CoAl2O4纳米粉体晶型及晶粒的影响规律; 采用透射电镜观察CoAl2O4纳米粉体的表面形貌; 通过紫外-可见吸收光谱分析CoAl2O4纳米粉体和CoAl2O4/TiO2复合多孔纳米薄膜的吸光度, 并计算了CoAl2O4纳米粉体的禁带宽度。以CoAl2O4/TiO2复合薄膜为光阳极制备了染料敏化太阳电池(DSSC), 应用太阳光模拟器及数字源表测试了DSSC的光电性能, 分析了CoAl2O4的复合量对DSSC光电性能的影响规律。实验结果表明: CoAl2O4粉体的最佳烧结温度为700 ℃; CoAl2O4粉体的禁带宽度为1.69 eV, 属于窄禁带半导体材料; 当CoAl2O4的复合量为1%时, 电池性能较好, 转化效率提高了62%。另外, CoAl2O4/TiO2复合薄膜电池的稳定性比纯TiO2薄膜电池好。得到的结果说明向TiO2中复合CoAl2O4粉体可以提高电池的转化效率。

利用Zn粉和Te粉为原材料，通过水热法在160 ℃下合成了ZnTe纳米粉，并用X射线衍射仪、X射线能谱仪、透射电子显微镜和显微Raman光谱对其进行了表征。X射线衍射谱表明合成的ZnTe具有闪锌矿结构。X射线能谱给出的结果表明合成的ZnTe中主要元素是Zn和Te，并含有杂质O。透射电子显微镜照片显示出合成的ZnTe纳米粉颗粒不均匀，其大小为8~160 nm，并且小颗粒ZnTe发生了聚集。Raman谱在206,411,615 cm-1处显示出ZnTe的3个纵向光学声子振动模式。在室温下对ZnTe纳米粉的发光性能进行了研究，其荧光谱在535.6 nm处显示出弱的施主-受主对的复合发光，在581,699 nm处分别显示出与Zn空位-杂质缺陷联合体和等电中心氧俘获有关的强发光峰。利用有关理论解释了室温下施主-受主对的复合辐射。

采用共沉淀法在氮氢气氛中制备出Y₂O₃:Ti³⁺, Eu³⁺ 纳米粉体, 测量了它的XRD、激发与发射光谱, 观测了形貌。通过与Y2 O3 :Ti3+纳米粉体的光谱比较分析,发现Y2 O3 中的Ti3+至Eu3+存在能量传递, 以致紫外至蓝光区域的光,均能使Eu3+经5D0→7F2 等跃迁通道发射出610 nm左右的荧光,于是增强了粉体 在红橙光区发光的比重,因此可以调节粉体的发光性能。Y₂O₃:Ti³⁺, Eu³⁺ 纳米粉体的吸收带从紫外延伸到 蓝光区,强荧光带覆盖了整个可见光区,这预示它有望成为新一代白光LED或汞灯的光转换荧光粉。

采用共沉淀法,在不同的烧结气氛下制备了Y2 O3 :Ti3 + 粉体,测量了它们的激发、 发射光谱以及 XRD 光谱,观测了形貌。在紫外光激发下,微晶Y2 O3 :Ti3 + 在439 nm附近有较强的发射带, 而纳米Y2 O3 :Ti3 + 在 400～500 nm范围内 出现了强的发射带。随纳米粉体的晶粒尺寸减小,它的发光明显增强,覆盖了整个可见光区。结果表明Y2 O3 :Ti3 + 纳米 粉体有望成为新一代白光 LED 或汞灯的光转换荧光粉。

由于激光晶体的生长周期长、成本高等缺点，激励人们不断地探索新的激光材料。透明陶瓷就是最近发展起来的一种。采用溶胶-凝胶法合成了用于制备掺钕的钆镓石榴石(Nd3+:Gd3Ga5O12)透明激光陶瓷的多晶纳米粉体。采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的晶相和形状进行了分析。结果表明，温度为1000 ℃，灼烧12 h，获得单分散、形状规则、似球形的Gd3Ga5O12(GGG)纳米粉体，且随着烧结温度的提高前驱粉体粒度不断增加。荧光发射的最强峰位于1062.7 nm处，对应于Nd3+的4F3/2→4I11/2能级跃迁。