1 中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室,广东广州,510275
2 东海大学工学部电气工学科,日本,259-1292
研究了一种在硅片上进行无抗蚀膜光化学蚀刻的新方法,使用过氧化氢(H2O2)和氟酸(HF)作为光化学媒质,使用ArF紫外激光作为光源,无需事先加工抗蚀膜,可直接在硅表面进行蚀刻.在H2O2与HF的浓度比为1.3时,蚀刻效果最佳,当激光能量密度为29 mJ/cm2, 照射脉冲数为10000次时,得到210 nm的蚀刻深度.
硅片 紫外激光 无抗蚀膜光化学蚀刻
1 Information Optics Institute of Sichuan University, Chengdu 610064
2 Phys. Depart. of Hubei National Cellege, Enshi 445000
blazing grating photochemical etching NGD CGH Chinese Journal of Lasers B
1992, 1(4): 361