分析了红外探测器铟柱生长工艺中不同像元间距情况下铟柱光刻孔内部的铟沉积情况和微观结构。解释了10 m小像元间距条件下铟柱高度较矮的原因，并给出了像元间距大小与剥离后铟柱高度之间的关系。针对10 m及以下像元间距红外探测器的铟柱生长，给出了解决铟柱高度问题的办法。使用新方法后，铟柱的高度可达到5 m以上。

基于Silvaco TCAD 三维数值模拟方法研究了小像元HgCdTe 红外焦平探测器的电串音。通过分析中心像元光生载流子纵向输运和横向输运与电串音的相关性，揭示了光生载流子横向扩散是造成小像元HgCdTe 红外焦平面探测器中电串音迅速增加的主要原因。对小像元HgCdTe 红外焦平电串音的抑制方法进行探讨，计算结果表明适当调整吸收层厚度和引入组分梯度能够有效抑制小像元HgCdTe 红外焦平面探测器中的电串音。本文的研究对小像元碲镉汞红外焦平面探测器的设计具有一定的指导意义。

TFT-LCD面板在屏幕上有斑点或波浪状Mura, 影响液晶显示器的品质, 经过图形匹配, 缺陷与曝光机机台形貌匹配。通过对异常区域特性分析, 发现异常区域的BM CD、BM 像素间距存在异常。对原因进行模型分析: 玻璃在曝光机基台上局部区域发生弯曲, 曝光距离变短, 致使BM PR受光区域变小, BM CD会偏小, 进而导致区域性透过光不均一产生Mura; 玻璃弯曲后BM 像素间距相对于设计位置也会发生变化, 从而导致漏光产生Mura。经过实验验证, BM CD和像素间距的偏差主要由机台凸起导致glass弯曲引起, 可以通过降低吸附压力和研磨机台, 来改善CD差异和像素间距偏移, 同时像素间距偏移漏光, 也可以通过增加CD来改善。最终通过BM CD增加、研磨机台和降低吸附压力措施, Stage Mura不良率由10.05%下降至0.11%。