在人工智能、航空航天、****装备电子系统小型化、模块化、智能化需求驱动下，系统级封装设计及关键工艺技术取得了革命性突破。新型的系统封装方法可把不同功能器件集成在一起，并实现了相互间高速通讯功能。封装工艺与晶圆制造工艺的全面融合，使封装可靠性、封装效率得到极大的提升，封装寄生效应得到有效抑制。文章概述了微系统封装结构及类型，阐述了高可靠晶圆级芯片封装(WLP)、倒装焊封装(BGA)、系统级封装(SIP)、三维叠层封装、TSV通孔结构的实现原理、关键工艺技术及发展趋势。

介绍了一种系统级封装(SiP)的ESD保护技术。采用瞬态抑制二极管(TVS)构建合理的ESD电流泄放路径，实现了一种SiP的ESD保护电路。将片上核心芯片的抗ESD能力从HBM 2 000 V提升到8 000 V。SiP ESD保护技术相比片上ESD保护技术，抗ESD能力提升效果显著，缩短了开发周期。该技术兼容原芯片封装尺寸，可广泛应用于SiP类产品开发中。

针对半实物仿真系统的需求，基于系统级封装技术提出了一款由垂直腔面发射激光器（VCSEL）激光器阵列、激光器驱动芯片、电源芯片等组成的微系统，并介绍了基于微机电系统微纳加工技术的VCSEL激光器阵列的制造工艺流程。该激光器的封装方法具有集成度高、可靠性高等特点，相比于其他驱动及封装方法大大提高了驱动效率和空间利用率，因此在光学成像、通信、互联等领域具有广泛应用前景，为实现半实物仿真中激光成像发生器奠定了基础。

介绍了自主研发的强电磁脉冲多物理效应并行计算程序JEMS-CDS-System的情况，该程序采用时域有限元方法，基于JAUMIN并行自适应结构网格支撑框架研制，并行效能高，可扩展性强，且支持动态负载平衡。通过算例测试表明，该程序对于键合线的电-热-应力失效过程的最高温度与范式等效应力计算结果与COMSOL软件计算结果吻合较好；SiP功率放大模块的热-应力耦合天河2高性能计算平台并行计算结果表明，该程序在CPU1024核时，具有38.1%并行效率。

在现代高密度集成设计的标准下, 场路协同分析法以其高效而精准的电磁兼容 (EMC)分析能力, 广泛用于系统级封装 (SiP)技术设计中。基于网络散射参数理论, 建立场路协同分析法的等效模型, 分析其工作原理, 并以射频 SiP中放大器表贴芯片的应用为例, 从 Matlab理论计算与模型仿真的角度, 验证模型的准确性。进一步针对大功率射频 (RF)器件集成中 EMC问题进行研究, 发现通过改变互连结构自身因素, 如改变互连线的长度、形状、间距等, 或通过改变外在因素, 如改变腔体大小、添加隔条、调节互连结构的位置等, 可改变单元结构间的耦合情况, 从而规避强耦合、自激等 EMC问题, 大幅提高系统的性能。