1 北京工业大学电子信息与控制工程学院 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京100124
2 中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 江苏 苏州215123
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN缓冲层厚度的GaN样品, 研究了AlN缓冲层厚度对GaN外延层的应力、表面形貌和晶体质量的影响。研究结果表明: 厚度为15 nm的AlN缓冲层不仅可以有效抑制Si扩散, 而且还给GaN外延层提供了一个较大的压应力, 避免GaN薄膜出现裂纹。在该厚度AlN缓冲层上制备的GaN薄膜表面光亮、无裂纹, 受到的张应力为0.3 GPa, (0002)和(1012)面的高分辨X射线衍射摇摆曲线峰值半高宽分别为536 arcsec和594 arcsec, 原子力显微镜测试得到表面粗糙度为0.2 nm。
AlN缓冲层 Si衬底 张应力 AlN buffer layer GaN GaN Si substrate tension stress MOCVD MOCVD
