作者单位
摘要
1 中国建筑材料科学研究总院有限公司, 北京 100024
2 中国人民解放军93160部队, 北京 101300
新一代锂铝硅玻璃逐渐成为航空透明件的主流结构材料, 由于其较高的弹性模量和优异的离子交换能力, 经过化学增强处理后具有优异的力学性能, 能够很好地满足航空透明件轻质、高强的需求。研究了 1.8 mm 厚度锂铝硅玻璃经过化学增强后的抗冲击性能变化, 采用不同增强工艺制备了多组样品进行落球冲击测试, 并依据应力包线进行了初步理论计算, 探讨了玻璃中心张应力对抗冲击性能的影响。研究结果表明, 1.8 mm厚度锂铝硅玻璃表面压应力为930 MPa左右时, 应力层深度在130~160 μm范围内抗冲击性能较佳, 玻璃具备较好的力学性能。
锂铝硅玻璃 应力层深度 表面压应力 中心张应力 化学增强 抗冲击 lithium aluminum silicate glass depth of layer compressive stress center tension chemical strengthening impact resistance 
玻璃搪瓷与眼镜
2023, 51(2): 1
作者单位
摘要
1 北京工业大学电子信息与控制工程学院 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京100124
2 中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 江苏 苏州215123
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN缓冲层厚度的GaN样品, 研究了AlN缓冲层厚度对GaN外延层的应力、表面形貌和晶体质量的影响。研究结果表明: 厚度为15 nm的AlN缓冲层不仅可以有效抑制Si扩散, 而且还给GaN外延层提供了一个较大的压应力, 避免GaN薄膜出现裂纹。在该厚度AlN缓冲层上制备的GaN薄膜表面光亮、无裂纹, 受到的张应力为0.3 GPa, (0002)和(1012)面的高分辨X射线衍射摇摆曲线峰值半高宽分别为536 arcsec和594 arcsec, 原子力显微镜测试得到表面粗糙度为0.2 nm。
AlN缓冲层 Si衬底 张应力 AlN buffer layer GaN GaN Si substrate tension stress MOCVD MOCVD 
发光学报
2014, 35(6): 727

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