设计了一种应用于有源箝位正激变换器拓扑的线缆压降补偿电路。在适当时刻对电路CS引脚进行采样,得到负载电流信息,再根据该信息自适应调整误差放大器的基准电压,有效降低了负载调整率,提高了输出电压精度。该电路基于0.18 μm 40 V BCD工艺设计。仿真结果表明,在3~30 A负载电流范围内,未经线缆补偿时,有源箝位正激变换器的整体负载调整率为9.8 mV/A;引入线缆补偿后,整体负载调整率降低为0.096 mV/A,仅为未经线缆补偿前的0.98%。

采用草酸盐共沉淀法结合后续热处理技术制备硼掺杂LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正极材料。研究了不同硼源(B2O3，H3BO3和LiBO2)掺杂对材料形貌、结构和电化学性能的影响。通过X射线衍射仪和Rietveld精修分析证明了硼(B)元素掺杂到材料晶格中。电化学性能研究表明：B2O3掺杂效果最佳，具有优异的倍率性能(5 C的放电比容量为145.1 mA·h/g)和长循环稳定性 (1 C循环300圈容量保持率为84.5%)，这归功于硼掺杂可有效减少表面残余锂化合物，提高了材料的结构稳定性，有效抑制了电压降和改善了极化现象，降低了电荷转移电阻，从而抑制了容量的衰减，实现了优异的电化学性能。Lithium-ion Batteries

提出了一种新型隐埋缓冲掺杂层(IBBD)高压SBD器件, 对其工作特性进行了理论分析和模拟仿真验证。与常规高压SBD相比, 该IBBD-SBD在衬底上方引入隐埋缓冲掺杂层, 将反向击穿点从常规结构的PN结保护环区域转移到肖特基势垒区域, 提升了反向静电释放(ESD)能力和抗反向浪涌能力, 提高了器件的可靠性。与现有表面缓冲掺杂层(ISBD)高压SBD相比, 该IBBD-SBD重新优化了漂移区的纵向电场分布形状, 在保持反向击穿点发生在肖特基势垒区域的前提下, 进一步降低反向漏电流、减小正向导通压降, 从而降低了器件功耗。仿真结果表明, 新器件的击穿电压为118 V。反向偏置电压为60 V时, 与ISBD-SBD相比, 该IBBD-SBD的漏电流降低了52.2%, 正向导通电压更低。

由于传统的光功率采集仪精度不高，在实验中无法明显地显示出光功率在短期内的变化，而采集电压的数据采集系统可以很好地解决这个问题。在分析1 310 nm超辐射发光二极管(Super Luminescent Diode，SLD)光源的工作原理的基础上，设计了一种在恒温条件下控制驱动电流来使SLD稳定工作的驱动电路，进行了理论分析和实验验证，给出了利用SLD电压降监测输出光功率的新方法，取得了真实可靠的实验数据。通过SLD光源的驱动实验得出输出光功率与驱动电流和SLD两端电压降的相关关系，结果表明，输出光功率与电流具有良好的线性关系，与电压具有良好的正相关指数关系。利用采集电压降监测SLD的输出光功率，大大提高了测试精度和数据分辨率，同时为SLD退化寿命试验提供了新的电学参数。

给出了赝火花开关所需辉光放电腔的具体要求,对赝火开关辉光放电腔进行了优化设计，并对优化后的放电腔进行了粒子模拟和实验研究。粒子模拟结果表明：此放电腔为辉光放电腔，辉光放电建立时间约18.5 ns；辉光放电时，此放电腔阴极位降占整个电位降的主要部分，且阴极位降区净离子密度为一常数。实验结果显示：此放电腔为辉光放电腔，其工作在Paschen曲线最低点左侧，放电电压随气压的升高而降低；当辉光放电电流为0.14～3.60 mA时，放电模式为正常辉光放电。