低温瓷釉(LTE)涂层是一种新型金属表面无机防腐涂层，了解其在烧结成型过程中的熔化行为有助于调控LTE涂层烧结工艺，得到基材表面覆盖完全、平滑的涂层。本文采用同步热分析仪研究LTE涂层粉末在烧结过程中的质量和热量变化，采用热机械分析仪测得LTE涂层圆柱体样品的玻璃化转变温度和热膨胀系数，采用自制热台显微镜研究不同升温速率下LTE涂层圆柱体样品黏度、高度、体积以及接触角的变化。结果表明，随着升温速率提高，LTE涂层圆柱体样品的烧结温度、软化温度和球形温度均降低，黏度减小，有利于涂层流平，因此宜采用20 ℃/min的升温速率。在530~550 ℃时，LTE涂层圆柱体样品的高度和接触角随温度的变化都将进入平台期，因此宜选择该温度区间作为LTE涂层的烧结温度。

本文报道了采用射频磁控溅射法和快速升温烧结法在R面取向的蓝宝石单晶基片上生长CeO2缓冲层和Tl-1223超导薄膜, 研究了缓冲层生长情况和先驱膜后退火条件对超导薄膜结晶情况和超导特性的影响。AFM和XRD表征结果显示, 蓝宝石基片经过退火后其表面形成具有光滑平台的台阶结构, 同时基片的晶体质量得到了改善; 本文所制备的CeO2缓冲层和Tl-1223超导薄膜具有较好的c轴生长取向, 而且两者呈现良好的ab面内织构。SEM表征结果显示, 生长良好的Tl-1223超导薄膜呈层状结构, 表面光滑平整、结构致密。在液氮环境下, 测得所制备Tl-1223超导薄膜的临界转变温度Tc约为111 K, 临界电流密度Jc(77 K, 0 T)约为1.3 MA/cm2。

烧结是低温共烧陶瓷(LTCC)基板工艺中关键工序之一, 对LTCC基板的各项性能指标具有重要的影响。本文以国产MG60生瓷带为研究对象, 研究了不同烧结升温速率对LTCC基板介电性能、翘曲度、膜层附着力、抗折强度等性能指标的影响, 分析了基板性能变化的原因。结果表明, 当升温速率为8 ℃/min时, 基板介电常数为5.788, 介电损耗为8.21×10-4, 基本无翘曲, 烧结致密, 附着力强, 抗折强度达到175 MPa。

采用镀镍碳纤维(Ni-CF)制备导热水泥基复合材料, 研究水灰比、纤维掺量和长度对水泥净浆试件升温值的影响, 分析了Ni-CF掺量对水泥净浆试件电热升温和电热转化率的提升效果。结果表明: 随着Ni-CF掺量的增加, 试件的最大升温值呈先升高后降低的趋势, 纤维掺量为0.4%(质量分数)时试件升温效果的提升最明显; 当Ni-CF长度从4 mm增至8 mm时, 水泥净浆试件的最大升温值逐渐降低; 水灰比(W/C)为0.5时, Ni-CF水泥净浆试件通电发热的温度最高; Ni-CF提高水泥净浆试件电热转化率的效果较好, 最高可达71.98%, 是同配合比下碳纤维(CF)水泥净浆试件电热转化率的两倍。

高温不仅降低砂浆的力学性能, 还会对其耐久性产生重大的影响。通过高温马弗炉以3种不同升温速率(即5 ℃/min、10 ℃/min、15 ℃/min)加热砂浆至400 ℃、500 ℃、600 ℃来模拟火灾试验。通过新的试验技术(允许在围压下同时测量气体渗透性和孔隙率)研究了不同温度损伤后砂浆的气体渗透性和孔隙率以及力学性能的变化。结果表明, 随着升温速率的加快以及温度的升高, 砂浆气体渗透率与孔隙率逐渐增大。与未升温相比, 当以15 ℃/min加热至600 ℃时, 砂浆气体渗透率增加了2个数量级, 孔隙率增大了1.77倍; 在加卸载围压过程中, 砂浆气体渗透率与孔隙率均不可逆地降低; 升温速率越大, 加热温度越高, 砂浆气体渗透率与孔隙率对围压就越敏感。孔隙率对围压的敏感性与气体渗透率相比较小, 但孔隙率对围压的敏感性证实了加卸载围压过程中裂纹不可逆闭合与孔隙不可逆破碎; 当以3种升温速率加热砂浆至400 ℃、500 ℃和600 ℃时, 随着升温速率的加快以及温度的升高, 砂浆的抗压强度逐渐降低。

研究了升温速率对ZnO-Bi2O3-Sb2O3-Co2O3-MnO2-Cr2O3-SiO2压敏陶瓷微观结构和电学性能的影响。当升温速率从3 ℃/min降低到1.5 ℃/min时，ZnO晶粒快速长大导致样品结构均匀性变差。当升温速率从3 ℃/min升高到10 ℃/min时，缺陷扩散变弱导致双Schottky势垒形成受阻。升温速率为3 ℃/min时，样品的非线性系数为最大值43.4，漏电流为最小值1.0 μA/cm2，击穿场强为448 V/mm，三者的标准偏差达到最小，样品稳定性最好，200 Hz~2 MHz电场作用下损耗角正切tanδ小于0.03，综合电学性能最优。同时，晶界处带负电的富Bi相Bi3.73Sb0.27O6.0+x的存在对ZnO压敏陶瓷的电学性能有重要影响。

建立了理论热脱附和原位程序升温脱附方法研究III族氮化物光电阴极部件的热除气过程。基于Malev吸附-扩散除气理论搭建了光电阴极的平板模型，利用Fick第一和第二定理计算得到了除气过程中样品吸附气体浓度、瞬时除气速率以及总的气体脱附量随时间变化的表达式。为便于直观研究，通过截取四阶近似给出不同扩散系数量级下的以上参量随时间的变化曲线。在III族氮化物光电阴极TPD动态法实验中，研究并分析了光电阴极部件在不同恒温除气阶段的残余气体谱图，由此得出进入真空中的脱附气体种类。采用最小二乘法拟合得到: 恒温1 000 K的条件下，N2的扩散系数为5×10-5 cm2/s。通过理论分析结合TPD实验，III族氮化物光电阴极部件热清洗的有效去除污染加热温度得到了有效的评估和验证。

中温面源黑体是一种宽带红外参考源，其波长范围覆盖了从近红外到远红外的波段，辐射面的温度具有很高的精度。作为高辐射强度的参考源，中温面源黑体已被广泛应用于红外传感器如辐射温度计、红外热像仪的校准以及样品辐射率或透过率的测量。用基于大辐射面和坚实结构的面源黑体在实验室内或野外测试中对无准直仪时的红外传感器进行了标定。为了提供红外系统性能测试的解决方案，本文对中温面源黑体进行了设计和性能参数测试。结果表明，其主要参数能满足高稳定度和高精度的要求。

研究线缆发热与光单元传输特性变化之间的关系对光纤复合低压 电缆(OPLC)设计及应用十分重要。 用COMSOL软件模拟仿真光纤复合低压电缆的稳定运行和短路故障状态,得到其相应的电缆温度分布以及光 单元传输损耗特性。选取线缆上不同位置处的特征点进行仿真,结果表明:电缆故障时导体绝缘层内升温 较明显,外护套温度变化不明显；光纤温度变化很小,在5 s内只有0.2 °C的上升。 由热膨胀引起的位移很小,使得传输损耗在这两种情况下几乎一样,短路故障对光纤的温度影 响不大。设计光单元升温实验得到光缆传输损耗的数据,并与仿真数据进行对比分析。实测温度数据滞 后于仿真数据5 s, 但与仿真数据变化趋势一致,证明了仿真模型的可靠性和可行性。

通过改变试样在热处理过程中的升温速率，研究了升温速率对激光立体成形（LSF）GH4169合金再结晶过程的影响，分析了升温速率对再结晶形核位置、再结晶晶粒长大速率和再结晶晶粒分布的影响。结果表明要使得试样发生再结晶则升温速率必须高于某一临界值，升温速率过低造成的材料内部残余应力消失会阻碍再结晶的发生；随升温速率的增加，再结晶形核位置从道间搭接区域逐渐转变为道间搭接区域和道内同时形核，有利于道间搭接区和道内再结晶晶粒尺寸差异的消除；在实验参数范围内，晶粒细化的速率随着升温速率的提高而增大。