1 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083
2 中国科学院大学材料科学与光电工程中心, 北京 100049
理论分析并制备了1.31 μm正方形-Fabry-Perot(FP)耦合腔半导体激光器,其中正方形腔作为FP腔的一个反射端面,其反射率可以通过改变注入正方形腔的电流调节。正方形模式和FP模式之间的模式耦合能够抑制其他边模,易于实现单模激射。实验获得的单模激射边模抑制比最高为38 dB,其波长调谐范围为6 nm,估算的器件特征温度T0为46 K。
激光器 半导体激光器 微腔 耦合腔激光器 单模激射 特征温度
1 中国科学院激发态物理开放实验室,长春 130021
2 长春科技大学光电子研究所,长春 130026
3 吉林大学电子工程系,长春 130023
4 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春 130021
简单分析了碟型微腔激光器中的激射模式及自发发射系数.采用反应离子刻蚀和选择性刻蚀方法蚀刻出InGaAs/InGaAsP多量子阱(MQW)碟型激光器,碟直径3μm,在液氮温度下进行光抽运实验,观察其模式特性.实现了单模激射,波长1.5μm,抽运阈值18μW.
多量子阱 微碟激光器 单模激射 耳语回廊模式