1 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083
2 中国科学院大学材料科学与光电工程中心, 北京 100049
理论分析并制备了1.31 μm正方形-Fabry-Perot(FP)耦合腔半导体激光器,其中正方形腔作为FP腔的一个反射端面,其反射率可以通过改变注入正方形腔的电流调节。正方形模式和FP模式之间的模式耦合能够抑制其他边模,易于实现单模激射。实验获得的单模激射边模抑制比最高为38 dB,其波长调谐范围为6 nm,估算的器件特征温度T0为46 K。
激光器 半导体激光器 微腔 耦合腔激光器 单模激射 特征温度
1 华中理工大学光电子工程系, 武汉 430074
2 华中理工大学激光技术国家重点实验室, 武汉 430074
本文在理论上首次发现有源耦合腔激光器的自启动锁模和时域调制特性,并对其进行了全面的分析和计算.对有源耦合腔激光器的自启动锁模机制和时域调制特性给予详尽的数值计算结果和清晰的物理图象解释,提出在有源耦合腔锁模激光器中可用连续泵浦源代替锁模泵浦源,而且有产生更短的光脉冲可能性.
有源耦合腔激光器 自启动锁模 时域调制特性
1 太原工业大学激光所, 太原 030024
2 北方交通大学物理系, 北京 100083
3 中国科学院半导体所集成光电子学重点实验室, 太原 北京 100083
利用反应离子刻蚀(RIE)技术刻蚀激光器腔面,获得集成式沟槽耦合腔AlGaAs/GaAs激光器,在室温下实现CW稳定单模运转。单模半宽约为0.23 nm,边模抑制比达19 dB,模间距约2.5 nm,单模运转双腔阈值电流为52 mA。
反应离子刻蚀 集成式沟槽耦合腔激光器 光电子集成回路
