基于110 nm CMOS工艺设计了一种应用于HDMI接收端电路的宽频带低抖动锁相环。采用一种改进型双环结构电荷泵，在25～250 MHz的宽输入频率范围内实现了快速锁定。通过高相噪性能的伪差分环形振荡器产生了调谐范围为125 MHz～1.25 GHz的时钟信号。仿真实验结果表明，该锁相环的锁定时间小于1.2 μs，在振荡器工作频率为0.8 GHz时，其相位噪声为-100.0 dBc/Hz @1 MHz，输出时钟峰峰值抖动为4.49 ps。

为解决传统单环小数分频锁相电路存在的整数边界杂散的问题, 该文设计了一种基于双环小数分频锁相的电路结构。设置两级锁相环, 通过前级锁相环产生可变参考信号, 进入后级小数锁相环进行频率合成, 实现了宽带小步进、低杂散频综的设计, 电路结构简单, 可靠性高; 同时也提高了宽带频率合成器在细步进模式下的杂散抑制能力, 是一种实现宽带细步进频率合成的好方法。

贵金属纳米材料在入射光激发下能够产生表面等离激元, 即金属表面自由电子产生集体振荡。 当其振荡频率与入射光频率相同时, 发生表面等离激元共振, 形成一种特殊的电磁场模式和光谱特性。 利用该电磁场模式和光谱特性, 能够调节金属纳米材料的光谱学行为, 例如通过改变金属纳米结构的大小、 形状以及周围介质介电常数等参数, 在微纳尺度上实现光谱学信号的有效调控。 目前, 除了具有一定对称性的贵金属纳米材料被大量研究和应用外, 非对称纳米结构的表面等离激元光谱特性也受到广泛关注。 研究表明, 在可见-近红外波段光谱范围内设计表面等离激元光电传感器件的关键问题在于, 如何有效地调节其消光谱的共振波长、 半峰宽以及峰值强度等主要特征参数。 提出一种基于银纳米双环组成的非对称结构, 利用时域有限差分方法, 在可见-近红外波段内, 通过分别改变银纳米双环的尺寸、 间距及入射光偏振方向等参数, 计算了该纳米结构在不同条件下的消光谱。 结果表明, 在0.4～3 μm的消光谱内, 入射光能够激发产生两个独立的表面等离激元共振峰。 通过研究峰值波长处的电场分布图发现, 上述共振峰分别对应两种不同的电磁场模式。 结果还表明, 消光谱内两个独立的共振峰可以通过改变该双环结构的不同参数, 被分别地进行调节。 其中, 可以通过改变该双环结构的半径来有效调节短波长峰的共振波长和半峰宽, 同时保持长波长峰的共振波长和半峰宽基本不变。 此外, 通过改变两环间距或入射光偏振方向, 可以分别以不同趋势来调节两个共振峰的峰值强度。 在提出的非对称银纳米双环的消光谱中, 获得了能够被分别调节的两个表面等离激元共振峰, 研究结果能够为可见-近红外波段内基于银纳米材料光电传感器件的开发设计提供理论基础。

永磁同步直线电机由于反电势和逆变器频繁切换导致电流谐波分量较大, 同时参数时变以及负载突变等扰动严重影响伺服系统的控制精度。本文采用一种基于降阶状态观测器的双环自抗扰伺服控制算法, 以降低控制系统的谐波抑制从而提高控制精度。首先, 构造了位置速度环级联的二阶自抗扰控制器。运用极点配置法对三阶线性状态观测器进行降阶, 减小了相位滞后的影响, 提高了伺服系统的控制精度; 其次, 电流环采用一阶非线性自抗扰控制器, 消除了积分饱和的影响, 降低了三相电流的谐波含量。最后, 与基于自抗扰控制的其他优化算法进行对比, 实验表明: 在多工况下降阶双环自抗扰控制的总谐波失真不超过2.13%, 推力波动可减小至1.49%, 稳态误差不大于15 μm。

提出了一种基于受激布里渊散射和耦合型双环的可调谐光电振荡器.该光电振荡器将受激布里渊散射和耦合型双环结构相结合, 利用受激布里渊散射的窄带增益谱选择振荡频率, 实现微波信号的频率可调谐.通过耦合型双环结构, 有效地抑制了微波信号的边模, 降低了微波信号的相位噪声, 提高了微波信号的频率和功率稳定性.实验结果表明, 该结构的光电振荡器可以产生2 GHz到18 GHz的微波信号, 边模抑制比优于60 dB, 相位噪声在10 kHz频偏处低于-95 dBc/Hz, 在实验室环境下10 GHz微波信号30 min内频率漂移小于0.3 ppm, 功率漂移低于0.2 dB.